大电流上升时间:15μs |
大电流脉宽范围:50μs-500μs |
最大电压:3500V |
最大电流:6000A |
栅极-发射极最大电压:30V |
栅极-发射极最大电流:10A(脉冲) |
栅极-发射极漏电流测试范围:10pA |
测试精度:±0.1% |
温控精度:±1℃ |
温控范围:25℃-200℃ |
电容测试范围:0.01pF~9.9999F |
电容测试频率范围:10Hz-1MHz |
兼容性:支持高低温测试,兼容多种夹具定制 |
小电流分辨率:1pA |
最大通道数量:根据选型不同,最大支持11个通道 |
测量精度:全量程下0.03% |
电压范围:30μV-1200V |
电容测量频率范围:10kHz-1MHz |
电流范围:1pA-100A |
脉冲电流能力:最高10A(低压脉冲)至100A(高流脉冲) |
上升沿速度:300A/μs |
夹具类型:穿心式、连接式 |
支持传感器类型:霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈、磁通门 |
支持集成设备:数字万用表、示波器、温控台 |
最大输出电流:1000A |
测试参数类型:零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间 |
测试模式:动静态参数一体化测试 |
测量精度:0.1% |
导通电阻测试精度:μΩ级 |
支持测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、Vf、I-V曲线、C-V曲线 |
最大测试电压:3500V |
最大测试电流:6000A |
栅极-发射极最大测试电压:30V |
栅极-发射极最大测试电流:10A |
测试曲线类型:I-V特性曲线、C-V特性曲线 |
测试精度:0.1% |
漏电流测试精度:nA级 |
电容测试类型:输入电容、输出电容、反向传输电容 |
电容测试频率:1MHz |
测试功能:电流、电压测试 |
测试对象:晶圆、芯片、微小电子器件 |
测量模式:四探针、三同轴 |
系统组成:数字源表SMU + 探针台 |
设备类型:数字源表SMU |
适用场景:半导体材料与器件电性能测试 |
最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
最大输出电流:6000A(多模块并联) |
最小导通电阻测量能力:μΩ级 |
最小漏电流测量能力:nA级 |
模块化配置:支持多种测量单元灵活配置与升级 |
测试效率:内置专用开关矩阵,支持一键测试 |
测试温度范围:支持常温及高温测试 |
测试项目:I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描、Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、续流二极管压降Vf等 |
测量精度:0.1% |
兼容性:支持高低温测试, 探针台自动操作 |
支持测试模式:I-V, C-V, 脉冲I-V |
测量精度:0.03% |
电压测量范围:30μV-1200V |
电容测量频率范围:10kHz-1MHz |
电流测量范围:1pA-100A |
软件支持:上位机软件, SCPI指令集 |
导通电阻测量精度:μΩ级 |
最大电压输出:3500V |
最大脉冲电流输出(集电极-发射极):6000A |
栅极-发射极最大脉冲电流输出:30V@10A |
模块化设计:支持模块自由配置与升级 |
测试对象:MOSFET、BJT、IGBT、SiC、GaN等功率器件 |
测试曲线类型:I-V特性曲线、C-V特性曲线 |
测试模板:内置丰富测试模板 |
测试精度:0.1% |
温度测试扩展:支持高低温测试 |
漏电流测量能力:nA级 |
电容测试类型:输入电容、输出电容、反向传输电容 |
电容测试频率上限:1MHz |
上升沿速度:300A/μs |
支持传感器类型:霍尔电流传感器(开环/闭环)、罗氏线圈、磁通门 |
支持集成设备:数字万用表、示波器、温控台 |
最大输出电流:1000A |
测试功能:零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间 |
测试参数:偏置电压、线性度、阶跃响应时间、交流带宽、噪声频谱 |
测量精度:0.1% |
设计特点:模块化设计、可定制化开发 |
支持器件类型:MOSFET、BJT、IGBT、SiC、GaN等功率器件 |
支持测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描 |
最大测试电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
最大测试电流:6000A(多模块并联) |
最小导通电阻测量能力:μΩ级 |
最小漏电流测量能力:nA级 |
测试模式:静态参数测试 |
测试环境:常温及高温测试 |
测量精度:0.1% |
系统设计:模块化设计,支持升级与扩展 |
工控机配置:内置品牌专业工控机 |
接口类型:USB, LAN |
显示器尺寸:21寸 |
测量精度:0.03% |
电压范围:30μV-1200V |
电容测量频率范围:10kHz-1MHz |
电流范围:1pA-100A |
设备尺寸:580mm长×620mm宽×680mm高 |
输入电源:220V 50/60Hz |
大电流上升时间:<15μs |
大电流脉宽范围:50μs~500μs |
导通电阻测试精度:μΩ级 |
最大电压:3500V(可扩展至10kV) |
最大电流:6000A(单机1000A,可并联) |
最小漏电流测试:10pA |
最小电压量程:300mV |
漏电流测试范围:1nA~100mA |
电压测试精度:±0.1% |
电容测试范围:0.01pF~9.9999F |
电容测试频率范围:10Hz~1MHz |
电流测试精度:±0.1% |
高压测试模式:恒压限流、恒流限压 |
兼容性:支持三同轴接探针台, 兼容高低温测试 |
控制方式:手动操作, 自动操作, 远程指令控制 |
支持测试类型:IV测试, CV测试, 脉冲IV测试 |
测量精度:0.03% |
电压范围:30μV-1200V |
电容测量频率范围:10kHz-1MHz |
电流范围:1pA-100A |
软件支持:专用半导体参数测试软件, SCPI指令集 |
大电压上升沿:典型值5ms |
大电流上升沿:典型值15μs |
大电流脉宽:50μs-500μs |
最大电压:3500V |
最大电流:6000A |
栅极-发射极最大电压:30V |
栅极-发射极最大电流:10A(脉冲) |
栅极-发射极最小电流分辨率:10pA |
温控准确度:±1℃ |
温控范围:25℃-200℃ |
漏电流测试范围:1nA-100mA |
电压准确度:±0.1% |
电容测试范围:0.01pF~9.9999F |
电容测试频率范围:10Hz-1MHz |
电流准确度:±0.05% |
兼容测试环境:高低温测试 |
支持测试模式:手动操作、自动操作、远程指令控制 |
支持测试类型:IV、CV |
模块化设计:支持测量单元升级 |
测量精度:0.03% |
电压范围:30μV-1200V |
电容测量频率范围:10kHz-1MHz |
电流范围:1pA-100A |
软件支持:专用半导体参数测试软件、SCPI指令集 |
导通电阻测量精度:μΩ级 |
最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
最大输出电流:6000A(多模块并联) |
测试方式:四线制测试 |
测试精度:0.1% |
漏电流测量精度:nA级 |
脉冲电流上升时间:15μs |
脉冲电流脉宽范围:50~500μs |
高压测试模式:恒压限流,恒流限压 |
电流脉宽:50μs~500μs |
脉冲电流上升沿时间:典型时间15μs |
输出脉冲电流:5A~1000A量程,精度0.1%FS±1A |
输出负载电压要求:<12V@1000A |
导通电阻测量精度:μΩ级 |
整体测量精度:0.1% |
最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
最大输出电流:6000A(多模块并联) |
测试模式:恒压限流、恒流限压 |
漏电流测量精度:nA级 |
电流上升时间:15μs |
脉冲宽度范围:50-500μs |
DUT采样准确度:300mV量程,±0.1%±1mV;3V量程,±0.1%±3mV;30V量程,±0.1%±8mV |
DUT采样分辨率:16Bit |
DUT采样量程:300mV/3V/30V |
噪音:<65dB |
最小脉冲重复时间:100ms |
电流上升沿时间:10μs |
电流回读准确度:5A量程,±0.1%±16mA;100A量程,±0.1%±128mA;300A量程,±0.1%±256mA |
电流回读分辨率:16Bit |
电流回读量程:5A/10A/300A |
脉冲宽度范围:50μs~1ms |
设备尺寸:400mm✖185mm✖160mm |
输入电压范围:90-264V、50/60Hz |
输出脉冲电流准确度:5A量程,±0.1%±16mA;100A量程,±0.1%±128mA;300A量程,±0.1%±256mA |
输出脉冲电流分辨率:16Bit |
输出脉冲电流量程:5A/10A/300A |
输出负载电压:20V@300A & pulse≤500μs |
通讯接口:RS232/LAN |
最大集电极-发射极电压:3500V |
最大集电极-发射极电流:6000A |
最小电压分辨率:30μV |
最小电流分辨率:10pA |
栅极-发射极大电流(脉冲):10A |
栅极-发射极最大电压:300V |
栅极-发射极测试精度:±0.05% |
温控精度:±2℃ |
温控范围:25℃-200℃ |
电容测试精度:±0.5% |
电容测试范围:0.01pF-9.9999F |
电容测试频率范围:10Hz~1MHz |
集电极-发射极大电流上升沿:典型值15μs |
集电极-发射极大电流脉宽:50μs-500μs |
集电极-发射极测试精度:±0.1% |
导通电阻测量精度:μΩ级 |
最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
最大输出电流:6000A(多模块并联) |
测试响应时间(大电流):15μs |
测试模式:恒压限流、恒流限压 |
测量精度:0.1% |
漏电流测量精度:nA级 |
脉冲宽度范围:50-500μs |
最大电压:3500V(可扩展至12kV) |
最大电流:1000A(可扩展至6000A) |
最小电压分辨率:30pV |
最小电流分辨率:10pA |
温控精度:±2℃ |
温控范围:25℃-200℃ |
漏电流测试范围:1nA-100mA |
电压上升沿时间:典型值5ms |
电压准确度:±0.1% |
电容值范围:0.01pF-9.9999F |
电容测试精度:±0.5% |
电容测试频率范围:10Hz-1MHz |
电流上升沿时间:典型值15μs |
电流准确度:±0.05% |
电流脉宽范围:50μs-500μs |
最大电压:3500V(可扩展至12kV) |
最大电流:1000A(可扩展至6000A) |
最小电压分辨率:30pV |
最小电流分辨率:10pA |
温控精度:±2℃ |
温控范围:25℃-200℃ |
漏电流测试范围:1nA-100mA |
电压上升沿时间:典型值5ms |
电压准确度:±0.1% |
电容值范围:0.01pF-9.9999F |
电容测试精度:±0.5% |
电容测试频率范围:10Hz-1MHz |
电流上升沿时间:典型值15μs |
电流准确度:±0.05% |
电流脉宽范围:50μs-500μs |
大电流上升沿:典型值15μs |
大电流脉宽:50μs-500μs |
最大电压:3500V(可扩展至12kV) |
最大电流:1000A(可扩展至6000A) |
最小电压分辨率:30pV |
最小电流分辨率:10pA |
温控精度:±2℃ |
温控范围:25℃-200℃ |
漏电流测试范围:1nA-100mA |
电压准确度:±0.1% |
电容值范围:0.01pF-9.9999F |
电容测试精度:±0.5% |
电容测试频率范围:10Hz-1MHz |
电流准确度:±0.05% |
同步触发总线:8线TrigBus |
局部总线带宽:2G |
支持测试器件类型:Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT、二极管、三极管 |
支持测试项目:IV测试、CV测试、击穿电压、漏电流、导通电阻、电容值、增益等 |
测试电压范围:1200V(单卡)/3500V(扩展) |
测试电流范围:400A(单卡)/2000A(扩展) |
测试精度(CV测试):0.05% |
测试通道数:3工站IV+CV或4工站IV |
测试速度(UPH):9000(单工站,7个DC IV测试项) |
测量精度(电流):pA级 |
测量精度(电阻):uΩ级 |
通信架构:PXIe |
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