Precise Instrument 普赛斯仪表 PMST3520 半导体测试设备

产品概述

普赛斯PMST3520功率器件静态参数测试系统是一款集多种测量和分析功能于一体的半导体测试设备，适用于MOSFET、IGBT、SiC、GaN等功率器件的静态参数测试。系统具备高电压、大电流、高精度的测试能力，支持μΩ级导通电阻、nA级漏电流测量，并可测试功率器件的结电容参数（如Ciss/Coss/Crss）。系统采用模块化设计，支持多种测试夹具和测试模式，可与探针台、热流仪等设备配合使用，满足晶圆级测试和高低温测试需求。

核心特点/优势

• 支持高达3500V电压测试（可扩展至12kV），满足高压功率器件测试需求
• 支持高达6000A大电流测试（多模块并联），典型上升时间为15μs
• 具备μΩ级导通电阻、nA级漏电流测量能力，测试精度达0.1%
• 模块化设计，支持灵活升级和扩展，适应不同封装类型和测试需求
• 支持C-V测试功能，频率范围10Hz-1MHz，电容测试精度±0.5%
• 支持常温、高温测试，温控范围25℃-200℃，精度±2℃
• 可生成I-V、C-V特性曲线，测试数据可保存与导出

应用领域

• 功率半导体器件（如IGBT、MOSFET、SiC、GaN）的静态参数测试
• 晶圆级芯片测试（与探针台配合使用）
• 高低温环境下的器件性能测试（与温控模块配合使用）
• 光耦、三极管、二极管等器件的参数测试

选型指南/使用建议

建议根据测试器件类型和封装形式选择合适的测试夹具；测试时需注意电压、电流的设置范围，确保在设备允许范围内操作；系统支持多种测试模式，建议根据测试需求配置相应的测试模块和软件参数；设备适用于常温至200℃的测试环境，建议在稳定温控条件下进行测试。