产品概述
PMST-3300V是武汉普赛斯仪表有限公司自主研发的高精度功率器件静态参数测试系统，专为第三代半导体器件（如SiC、GaN）及传统功率器件（如IGBT、MOSFET）设计。该系统具备高电压、大电流测试能力，支持IV、CV、跨导等多维度参数测试，适用于晶圆、芯片、器件及模块的静态特性分析。系统采用模块化设计，具备高精度、高效率、高扩展性等优势，可广泛应用于实验室、小批量及大批量产线。
核心特点/优势
- 支持高达3500V（最大可扩展至10kV）电压输出与测量
- 支持高达6000A（多模块并联）电流输出与测量
- 测量精度达0.1%，支持nA级漏电流与μΩ级导通电阻测量
- 内置专用开关矩阵，支持一键测试多种静态参数
- 模块化设计，支持灵活配置与后期升级
- 支持常温及高温测试，兼容多种封装形式
- 适用于Si、SiC、GaN等多种半导体材料器件
应用领域
- 功率二极管静态参数测试
- MOSFET器件静态特性分析
- BJT器件测试
- IGBT器件静态参数测量
- SiC功率器件测试
- GaN器件静态特性分析
- 晶圆级静态参数测试
- 芯片级静态参数测量
- 器件模块测试
- 电力电子模块（PM）测试
PMST-3300V 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 最大输出电压 | 3500V（最大可扩展至10kV） | |
| 最大输出电流 | 6000A（多模块并联） | |
| 最小导通电阻测量能力 | μΩ级 | |
| 最小漏电流测量能力 | nA级 | |
| 模块化配置 | 支持多种测量单元灵活配置与升级 | |
| 测试效率 | 内置专用开关矩阵，支持一键测试 | |
| 测试温度范围 | 支持常温及高温测试 | |
| 测试项目 | I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描、Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、续流二极管压降Vf等 | |
| 测量精度 | 0.1% |
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