武汉普赛斯仪表 SPA-6100型半参 半导体测试设备

1200V半导体分析仪替代4200

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2025-12-03 10:49:21
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产品概述

SPA-6100型半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发的高精度半导体电学特性测试系统,适用于从晶圆到器件的全产业链测试。该设备支持DC I-V、C-V以及高流高压下的脉冲式I-V测试,具备宽量程、高精度、快速灵活、兼容性强等优势,广泛应用于前沿材料研究、芯片设计及先进工艺开发。

核心特点/优势

  • 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力
  • 全量程下测量精度高达0.03%
  • 支持10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量
  • 内置标准器件测试程序,支持自动实时参数提取与数据绘图分析
  • 支持CV与IV测量之间快速切换,无需重新布线
  • 提供灵活的夹具定制方案,兼容性强
  • 免费提供上位机软件及SCPI指令集
  • 支持高低温测试,满足多种测试环境需求

应用领域

  • 纳米、柔性等材料特性分析
  • 二极管测试
  • MOSFET、BJT、晶体管、IGBT测试
  • 第三代半导体材料/器件测试
  • 有机OFET器件测试
  • LED、OLED、光电器件测试
  • 半导体电阻式传感器测试
  • EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管测试
  • 电阻率系数和霍尔效应测量
  • 太阳能电池测试
  • 非易失性存储设备测试
  • 失效分析

选型指南/使用建议

SPA-6100支持模块化选型,用户可根据测试需求灵活配置不同测试单元。低压直流I-V源测量单元与低压脉冲I-V源测量单元最大可单独或共用选择3个通道;高压I-V源测量单元与高流I-V源测量单元最大可单独选择1个通道;电容测量单元最大可选择1个通道。推荐根据测试对象的电压、电流、频率等参数选择合适的测试单元组合。

测试单元 最大通道数量 主要规格
低压直流I-V源测量单元 SPA-S100 3 0.1%精度,30V/1A,10pA
SPA-S200 3 0.1%精度,100V/1A,10pA
SPA-S300 3 0.1%精度,300V/1A,10pA
SPA-S100B 3 0.03%精度,30V/3A,10pA
SPA-S200B 3 0.03%精度,100V/3A,10pA
SPA-S300B 3 0.03%精度,300V/3A,10pA
SPA-P100 3 0.1%精度,30V/1A(直流)/10A(脉冲),1pA
低压脉冲I-V源测量单元 SPA-P200 3 0.1%精度,100V/1A(直流)/10A(脉冲),1pA
SPA-P300 3 0.1%精度,300V/1A(直流)/10A(脉冲),1pA
高压I-V源测量单元 SPA-E100 11 0.1%精度,1200V/100mA,100pA
高流I-V源测量单元 SPA-HCP100 1 0.1%精度,50V/30A(直流)/30A(脉冲),10pA
SPA-HCP200 1 0.1%精度,50V/30A(直流)/50A(脉冲),10pA
SPA-HCP300 1 0.1%精度,100V/30A(直流)/100A(脉冲),10pA
电容测量单元 SPA-C100 11 0.5%精度,10Hz-1MHz
PSS专用测试软件 PSS SPA-6100 1 专用半导体参数测试软件
夹具(选配) / / 根据客户实际需求而定

SPA-6100型半参 半导体测试设备选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
更多规格
兼容性 支持高低温测试,兼容多种夹具定制
小电流分辨率 1pA
最大通道数量 根据选型不同,最大支持11个通道
测量精度 全量程下0.03%
电压范围 30μV-1200V
电容测量频率范围 10kHz-1MHz
电流范围 1pA-100A
脉冲电流能力 最高10A(低压脉冲)至100A(高流脉冲)

产品替代

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