精度:0.1% |
响应时间:50µs |
支持器件类型:MOSFET, BJT, IGBT, SIC, GaN |
数据导出方式:一键导出测试数据 |
最大测试电压:3000V |
最大测试电流:1000A |
最小电压分辨率:10μV |
最小电流分辨率:10pA |
最小脉冲宽度:50μs |
模块化设计:支持模块扩展与升级 |
测试模板:内置多种测试模板 |
电容测试频率范围:20Hz~1MHz |
采集通道数:4 |
输入电压量程:±0.625V; ±1.25V; ±2.5V; ±5V; ±10V; ±12V |
环境温度:-20 ~ 80℃ |
消耗功率:1000W |
传感器激励电压:100 ~ 240Vac |
ADC Resolution:16bits |
Digital Communication Protocol:RS-232; GPIB; LAN |
Input Impedance:1GΩ |
Input Signal Bandwidth:500kHz |
Maximum Sampling Rate:2MS/s |
Storage Capacity:128MB |
支持器件类型:MOSFET、BJT、IGBT、SIC、GaN |
支持温控功能:支持拓展温控功能 |
数据导出方式:图形界面、表格展示、一键导出 |
模块化设计:支持模块化配置与升级 |
测试效率:自动切换电路与测量单元 |
测试模板数量:丰富模板(未明确数量) |
测试电压范围:0~3000V |
测试电流范围:0~4000A(多模块并联) |
电压测量精度:uV级 |
电流测量精度:pA级 |
电阻测量精度:uΩ级 |
精度:0.1% |
响应时间:100μs |
支持测试项目:Vces, V(br)ces, Vce sat, Ic, Ices, Iges, Vge(th), Rg, 电容测量, I-V特性曲线扫描, C-V特性曲线扫描 |
最大并联电流:4000A |
最大栅极-发射极电压:300V |
最大栅极电流(直流):1A |
最大栅极电流(脉冲):10A |
最大集电极-发射极电压:3000V |
最大集电极电流:1000A |
栅极电压分辨率:30uV |
栅极电流分辨率:10pA |
漏电流测试量程:1uA~100mA |
电流上升时间:10us |
电流精度:0.10% |
Model Specification:LDBIxx系列 |
Test Mode:CW及QCW |
光电流检测通道数:1路,可支持16路分时复用 |
光电流测量范围:0-10mA |
电压测量范围:0-100V |
电压测量通道数:16通道 |
系统电源:三相 380V/50Hz,防浪涌 |
脉冲宽度范围:100us~3ms |
设备尺寸(宽*高*深):1093mm*2070mm*905mm |
设备重量:<500kg |
Maximum Current:6000A |
最大电压:3500V |
栅极-发射极最大电压:300V |
栅极-发射极最大电流:1A(直流)/10A(脉冲) |
栅极-发射极最小电压分辨率:30uV |
栅极-发射极最小电流分辨率:10pA |
栅极-发射极电压精度:0.05% |
温控精度:±1℃ |
温控范围:25℃~150℃ |
电容测试精度:0.5% |
电容测试范围:0.01pF~9.9999F |
电容测试频率范围:10Hz~1MHz |
集电极-发射极电压精度:0.10% |
集电极-发射极电流上升沿:典型值15us |
精度:0.1%±1A |
响应时间:15µs |
Current Pulse Width Range:50µs ~ 500µs |
Maximum Output Current:1000A |
Range:5A ~ 1000A |
VCE(sat)测试能力:支持高速窄脉冲电流源,具备同步采样电压功能 |
栅极-发射极测试能力:30V@10A脉冲电流输出与测试,支持pA级漏电流测试 |
测试精度:0.1% |
漏电流测试能力:优于国际品牌,可覆盖车规级高温漏电流测试(如HITACHI IGBT-SP-05015 R3规格) |
电压输出能力:最高3500V(可扩展至10kV),自带漏电流测量功能 |
电容测试频率:最高1MHz |
脉冲上升沿时间:15us(典型值) |
脉冲电流脉宽范围:50us—500us |
集电极-发射极测试能力:6000A高速脉冲电流,典型上升时间15μs,支持电压高速同步采样 |
精度:0.1%FS±1A |
输出电压:<12V |
响应时间:15µs |
Range:50μs~500μs |
Switching Current:5A~1000A |
精度:0.1% |
Rise Time:300A/μs |
Switching Current:1000A |
支持测试器件:二极管、MOSFET、IGBT、SiC、GaN、LED、OLED、传感器、太阳能电池、存储器 |
支持测试模式:直流、脉冲、AC电容 |
支持测试类型:I-V、C-V、C-f、C-t |
最大通道数量:3(低压直流/脉冲IV), 1(高压IV/高流IV/电容) |
电压范围:30μV-1200V |
电容测量频率范围:10Hz-1MHz |
电流范围:1pA-100A |
脉冲最小脉宽:80μs |
脉冲电流最大值:100A |
Frequency Range:10Hz~1MHz |
Function:C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F(电容-频率) |
偏压精度:0.1% |
偏压范围:0V~3500V |
支持测试类型:击穿特性,漏电流特性 |
AC测试信号准位:10mV至2Vrms(1mVrms解析度) |
DC偏压精度:0.1% |
DC偏压范围:0V~3500V |
DC测试信号准位:10mV至2V(1mVrms解析度) |
基本准确度:±0.05% |
导纳测量范围:0.1nS-99.999S |
支持测试参数:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS、CJ、IR、VR、Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES |
测试方式:点测、图形扫描 |
测试频率范围:10Hz-1MHz |
漏电流测试精度:≥10pA |
电容测量范围:0.01pF-9.9999F |
电感测量范围:0.1nH-9.999kH |
电阻测量范围:0.001mΩ-99.999MΩ |
编程协议:SCPI、LabView |
输出阻抗:100Ω |
频率输出精确度:±0.01% |
支持测试器件:二极管、晶体管、IGBT、第三代半导体、光电器件、传感器等 |
支持测试模式:直流、脉冲、AC电容 |
支持测试类型:I-V、C-V |
最大通道数量:3 |
电压范围:30μV-1200V |
电容测量频率范围:10Hz-1MHz |
电流范围:1pA-100A |
脉冲最小脉宽:200μs |
脉冲电流最大值:100A |
AC测试信号准位:10mV至2Vrms(1mVrms解析度) |
DCR测量范围:0.001mΩ-9.999MΩ |
DC测试信号准位:10mV至2V(1mVrms解析度) |
D值测量范围:0.00001-9.9999 |
Q值测量范围:0.1-9999.9 |
偏压精度:0.1% |
偏压范围:0V-3500V |
基本准确度:±0.05% |
导纳测量范围:0.1nS-99.999S |
支持测试参数:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS、Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES、CJ、IR、VR |
支持测试器件类型:DIODE、MOSFET、IGBT |
测试方式:点测、图形扫描 |
测试频率范围:10Hz-1MHz |
源测精度:0.03%-0.1% |
电容测量范围:0.01pF-9.9999F |
电感测量范围:0.1nH-9.999kH |
电阻测量范围:0.001mΩ-99.999MΩ |
相位角测量范围:-180° -+180° |
编程协议:SCPI、LabView |
输出阻抗:100Ω |
频率输出精确度:±0.01% |
精度:0.1% |
响应时间:3.33µs |
Range:0 ~ 1000A |
导通电阻测量精度:μΩ级 |
最大测试电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
最大测试电流:6000A(多模块并联) |
测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描 |
漏电流测量精度:nA级 |
静态参数测量精度:0.1% |
Software Support:上位机软件, SCPI指令集 |
Test Mode:I-V, C-V, 脉冲I-V |
电压测量范围:30μV-1200V |
电流测量范围:1pA-100A |
Maximum Current:6000A |
Measurement Accuracy:0.1% |
导通电阻测量能力:μΩ级 |
最大电压:3500V |
测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描 |
漏电流测量能力:nA级 |
Maximum Current:6000A |
大电流上升沿:典型值15μs |
最大电压:3500V |
温控精度:±1℃ |
温控范围:25℃~150℃ |
漏电流测试范围:1nA~100mA |
电压精度:0.10% |
电容测试精度:0.5% |
电容测试范围:0.01pF~9.9999F |
电容测试频率范围:10Hz~1MHz |
电流精度:0.05% |
精度:0.1% |
响应时间:300A/μs |
Range:0 ~ 1000A |
Output Current:6000A(多模块并联) |
导通电阻测量精度:μΩ级 |
支持测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线、C-V特性曲线 |
最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
漏电流测量精度:nA级 |
电荷测量精度:μQ级 |
静态参数测量精度:0.1% |
Output Current:6000A(多模块并联) |
导通电阻测量精度:μΩ级 |
扩展性:支持常温及高温测试,可定制夹具 |
最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV) |
测试效率:支持国标全指标一键测试 |
漏电流测量精度:nA级 |
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