Precise Instrument 普赛斯仪表
武汉普赛斯仪表有限公司 是武汉普赛斯电子股份有限公司的全资子公司,公司以源表为核心产品,专注于半导体电性能测试设备的开发、生产与销售,提供精准高效的第三代半导体材料、晶圆、器件测试的整体解决方案及服务。聚焦第三代半导体领域高端测试设备的国产化,武汉普赛斯仪表坚持自主创新研发,积极打造对标进口、国内领先的实验与测试平台。掌握多项电性能测试核心专利技术,构建了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、脉冲恒压源、集成插卡式源表、高精度的超大电流源、高精度脉冲大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等系列产品,电流覆盖pA至kA,电压覆盖μV至kV。基于自主核心仪表产品,我司创新打造了半导体参数分析仪、功率器件静态参数测试系统、大功率激光器老化测试系统、miniLED测试系统、电流传感器测试系统等测试平台,以高效率、高精度、低成本为核心,实现市场应用的集成创新。公司已建成覆盖全国的营销服务网络,并积极布局海外市场。凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,成为为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。产品被国内外知名高校、科研院所以及半导体企业广泛应用,并与多家半导体测试机厂家建立长期稳定的合作关系。未来,公司将始终以“提供供应链可控的高性能、低成本的有特色的测试仪器仪表和测试系统”为价值导向,坚持创新驱动,持续赋能全球半导体产业智能化测试升级。主要产品台式仪表S系列高精度台式源表,SXXB系列高精度台式源表,P系列高精度台式脉冲源表,PX00B系列高精度台式脉冲源表,PL系列窄脉冲LIV测试系统HCP系列大电流台式脉冲源表,HCPL100高电流脉冲电源,HCPL系列大功率激光器测试电源,E系列高电压源测单元插卡式仪表CS系列插卡式数字源表,A400数据采集卡,CP系列脉冲恒压源测试系统SPA6100半导体参数分析仪,PMST功率器件静态参数测试系统,半导体功率器件C-V特性测试系统,LDBI多路大功率激光器老化系统,CTMS电流传感器测试系统激光半导体测试解决方案功率半导体,分立器件,集成电路,材料研究,传感器,微电子教学研发团队4位教授级专家/博士研发人员总数占比60%以上研发人员30%为硕士核心技术竞争力模拟电路设计fA级电流输出与测量,6kA电流输出与测量,10kV高压输出与测量仿真设计板级分布参数提取,热性能仿真,高速信号完整性算法设计ms级指令响应,丰富的自定义扩展,高效低噪声数字电源测试验证精度、温漂等验证平台,丰富的功率器件测试经验,完善的测试设备发展历程2009年武汉普赛斯电子股份有限公司成立2010-2014年国家高新技术企业 误码仪、光功率计、光衰等产品问市2015年成立数十人的源表研发团队2015-2018年激光半导体行业: 光模块测试、OSA/ROSA/BOSA测试、TO测试等设备问市功率半导体行业: 源表一代产品应用于国际知名通信企业2019年武汉普赛斯仪表有限公司成立2019-2020年激光半导体行业:激光器耦合测试仪、LIV综合测试仪、采样示波器市场份额领先功率半导体行业: 国产化数字源表率先产业化:S系列、P系列、 PL窄脉冲测试系统2021-2024年国家级专精特新“小巨人”企业湖北省上市“金种子”企业高新技术企业激光半导体行业: 激光雷达TO老化、VCSEL晶圆等测试系统 功率半导体行业: 聚焦三代半,更高精度、更大电流、更大电压,产品矩阵全覆盖企业文化企业愿景成为化合物半导体光电测试仪器仪表龙头企业 企业使命让半导体企业的制造与测试更高效 核心价值观完美 求精 服务 创新
  • 普赛斯仪表 CTMS 半导体测试设备

    上升沿速度:100A/μs
    可定制化开发:支持
    带宽:KHz级
    支持测量参数:零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间
    支持电流源类型:直流源表、高电流脉冲电流源、高频电流源
    支持集成设备:示波器、温控台
    最大电流输出:1000A
    最小脉冲宽度:50μs
    模块化设计:支持
    测量精度:0.1%
  • 武汉普赛斯仪表 PMST1000 半导体测试设备

    支持器件类型:MOSFET, BJT, IGBT, SIC, GaN
    数据导出方式:一键导出测试数据
    最大测试电压:3000V
    最大测试电流:1000A
    最小电压分辨率:10μV
    最小电流分辨率:10pA
    最小脉冲宽度:50μs
    模块化设计:支持模块扩展与升级
    测试模板:内置多种测试模板
    测量精度:0.1%
    电容测试频率范围:20Hz~1MHz
  • 武汉普赛斯仪表 A400 半导体测试设备

    ADC分辨率:16bits
    主机箱输入电源:AC: 100~240V, 50/60HZ,最大功率1000W
    主机箱通信:RS-232 / GPIB / LAN
    储存温度:-20~80℃
    单卡存储深度:128MB
    单卡通道数:4
    工作温度:0~50℃
    最高采样率:2MS/s
    触发方式:支持软件触发,外部IO触发
    输入信号带宽:500KHz
    输入电压量程:±0.625V、±1.25V、±2.5V、±5V、±10V、±12V
    输入阻抗:1GΩ
    通道隔离:支持,隔离耐压>500V
    采样频率:可配置
  • 武汉普赛斯仪表 PMST4000 半导体测试设备

    支持器件类型:MOSFET、BJT、IGBT、SIC、GaN
    支持温控功能:支持拓展温控功能
    数据导出方式:图形界面、表格展示、一键导出
    模块化设计:支持模块化配置与升级
    测试效率:自动切换电路与测量单元
    测试模板数量:丰富模板(未明确数量)
    测试电压范围:0~3000V
    测试电流范围:0~4000A(多模块并联)
    电压测量精度:uV级
    电流测量精度:pA级
    电阻测量精度:uΩ级
  • 普赛斯仪表 CTMS型 半导体测试设备

    上升沿速度:100A/μs
    支持测量参数:零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间
    最大输出电流:1000A
    测量带宽:KHz级
    测量精度:0.1%
  • 武汉普赛斯仪表 PMST-1000A 半导体测试设备

    支持测试项目:Vces, V(br)ces, Vce sat, Ic, Ices, Iges, Vge(th), Rg, 电容测量, I-V特性曲线扫描, C-V特性曲线扫描
    最大并联电流:4000A
    最大栅极-发射极电压:300V
    最大栅极电流(直流):1A
    最大栅极电流(脉冲):10A
    最大集电极-发射极电压:3000V
    最大集电极电流:1000A
    栅极电压分辨率:30uV
    栅极电流分辨率:10pA
    漏电流测试量程:1uA~100mA
    电流上升时间:10us
    电流精度:0.10%
  • 武汉普赛斯仪表 LDBIxx系列 半导体测试设备

    产品型号:LDBIxx系列
    光电流检测通道数:1路,可支持16路分时复用
    光电流测量范围:0-10mA
    工作模式:CW及QCW
    电压测量范围:0-100V
    电压测量通道数:16通道
    系统电源:三相 380V/50Hz,防浪涌
    脉冲宽度范围:100us~3ms
    设备尺寸(宽*高*深):1093mm*2070mm*905mm
    设备重量:<500kg
  • 武汉普赛斯仪表 PSMT-4000A 半导体测试设备

    最大电压:3500V
    最大电流:6000A
    栅极-发射极最大电压:300V
    栅极-发射极最大电流:1A(直流)/10A(脉冲)
    栅极-发射极最小电压分辨率:30uV
    栅极-发射极最小电流分辨率:10pA
    栅极-发射极电压精度:0.05%
    温控精度:±1℃
    温控范围:25℃~150℃
    电容测试精度:0.5%
    电容测试范围:0.01pF~9.9999F
    电容测试频率范围:10Hz~1MHz
    集电极-发射极电压精度:0.10%
    集电极-发射极电流上升沿:典型值15us
  • 武汉普赛斯仪表 传感器测试平台CTMS1000A 半导体测试设备

    支持传感器类型:霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈、磁通门电流传感器
    支持封装形式:QFN、SOIC、SOICW、PFF、PSF、穿芯式
    最大输出电流:1000A
    测试参数类型:直流参数(温度漂移、零点误差、线性度)、交流参数(响应时间、带宽、噪声频谱)
    测试模式:静态与动态参数测试
    电流脉宽范围:50μs~500μs
    脉冲电流上升沿时间:15μs
    负载电压要求:<12V@1000A
    输出电流量程:5A~1000A
    输出精度:0.1%FS±1A
  • 武汉普赛斯仪表 PMST-6000A 半导体测试设备

    VCE(sat)测试能力:支持高速窄脉冲电流源,具备同步采样电压功能
    栅极-发射极测试能力:30V@10A脉冲电流输出与测试,支持pA级漏电流测试
    测试精度:0.1%
    漏电流测试能力:优于国际品牌,可覆盖车规级高温漏电流测试(如HITACHI IGBT-SP-05015 R3规格)
    电压输出能力:最高3500V(可扩展至10kV),自带漏电流测量功能
    电容测试频率:最高1MHz
    脉冲上升沿时间:15us(典型值)
    脉冲电流脉宽范围:50us—500us
    集电极-发射极测试能力:6000A高速脉冲电流,典型上升时间15μs,支持电压高速同步采样
  • 武汉普赛斯仪表 CTMS-1000 半导体测试设备

    电流脉宽:50μs~500μs
    脉冲电流上升沿时间:典型时间15μs
    输出脉冲电流:5A~1000A量程,精度0.1%FS±1A
    输出负载电压要求:<12V@1000A
  • 武汉普赛斯仪表 1000A 半导体测试设备

    上升沿速度:300A/μs
    带宽:KHz级
    支持集成设备:数字万用表、示波器、温控台
    最大输出电流:1000A
    测试参数:零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间
    测量精度:0.1%
  • 武汉普赛斯仪表 SPA6100 半导体测试设备

    支持测试器件:二极管、MOSFET、IGBT、SiC、GaN、LED、OLED、传感器、太阳能电池、存储器
    支持测试模式:直流、脉冲、AC电容
    支持测试类型:I-V、C-V、C-f、C-t
    最大通道数量:3(低压直流/脉冲IV), 1(高压IV/高流IV/电容)
    测量精度:0.03%
    电压范围:30μV-1200V
    电容测量频率范围:10Hz-1MHz
    电流范围:1pA-100A
    脉冲最小脉宽:80μs
    脉冲电流最大值:100A
  • 武汉普赛斯仪表 武汉普赛斯 半导体测试设备

    偏压精度:0.1%
    偏压范围:0V~3500V
    支持测试类型:击穿特性,漏电流特性
    测量功能:C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F(电容-频率)
    频率范围:10Hz~1MHz
  • 武汉普赛斯仪表 武汉普赛斯仪表 半导体测试设备

    AC测试信号准位:10mV至2Vrms(1mVrms解析度)
    DC偏压精度:0.1%
    DC偏压范围:0V~3500V
    DC测试信号准位:10mV至2V(1mVrms解析度)
    基本准确度:±0.05%
    导纳测量范围:0.1nS-99.999S
    接口类型:RS232、LAN
    支持测试参数:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS、CJ、IR、VR、Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES
    测试方式:点测、图形扫描
    测试频率范围:10Hz-1MHz
    漏电流测试精度:≥10pA
    电容测量范围:0.01pF-9.9999F
    电感测量范围:0.1nH-9.999kH
    电阻测量范围:0.001mΩ-99.999MΩ
    编程协议:SCPI、LabView
    输出阻抗:100Ω
    频率输出精确度:±0.01%
  • 武汉普赛斯仪表 SPA-6100 半导体测试设备

    支持测试器件:二极管、晶体管、IGBT、第三代半导体、光电器件、传感器等
    支持测试模式:直流、脉冲、AC电容
    支持测试类型:I-V、C-V
    最大通道数量:3
    测量精度:0.03%
    电压范围:30μV-1200V
    电容测量频率范围:10Hz-1MHz
    电流范围:1pA-100A
    脉冲最小脉宽:200μs
    脉冲电流最大值:100A
  • 武汉普赛斯仪表 普赛斯仪表 半导体测试设备

    AC测试信号准位:10mV至2Vrms(1mVrms解析度)
    DCR测量范围:0.001mΩ-9.999MΩ
    DC测试信号准位:10mV至2V(1mVrms解析度)
    D值测量范围:0.00001-9.9999
    Q值测量范围:0.1-9999.9
    偏压精度:0.1%
    偏压范围:0V-3500V
    基本准确度:±0.05%
    导纳测量范围:0.1nS-99.999S
    接口类型:RS232、LAN
    支持测试参数:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS、Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES、CJ、IR、VR
    支持测试器件类型:DIODE、MOSFET、IGBT
    测试方式:点测、图形扫描
    测试频率范围:10Hz-1MHz
    源测精度:0.03%-0.1%
    电容测量范围:0.01pF-9.9999F
    电感测量范围:0.1nH-9.999kH
    电阻测量范围:0.001mΩ-99.999MΩ
    相位角测量范围:-180° -+180°
    编程协议:SCPI、LabView
    输出阻抗:100Ω
    频率输出精确度:±0.01%
  • 武汉普赛斯仪表 CTMS1000A 半导体测试设备

    上升沿速度:300A/μs
    可测传感器类型:开环/闭环霍尔电流传感器、罗氏线圈、磁通门电流传感器
    可测参数:零点漂移、线性度、温度漂移曲线、带宽、响应时间、偏置电压、噪声频谱
    夹具类型:穿心式、连接式
    最大输出电流:1000A
    测量精度:0.1%
    集成设备:数字万用表、示波器、温箱
  • 武汉普赛斯仪表 PMST系列 半导体测试设备

    导通电阻测量精度:μΩ级
    最大测试电压:3500V(最大可扩展至10kV)
    最大测试电流:6000A(多模块并联)
    测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描
    漏电流测量精度:nA级
    静态参数测量精度:0.1%
  • 武汉普赛斯仪表 SPA-6100型 半导体测试设备

    兼容性:支持多种夹具定制
    测试模式:I-V, C-V, 脉冲I-V
    测量精度:0.03%
    电压测量范围:30μV-1200V
    电流测量范围:1pA-100A
    软件支持:上位机软件, SCPI指令集
  • 武汉普赛斯仪表 PMST-8000V 半导体测试设备

    导通电阻测量能力:μΩ级
    最大电压:3500V
    最大电流:6000A
    测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描
    漏电流测量能力:nA级
    精度:0.1%
  • 武汉普赛斯仪表 PMST8000V 半导体测试设备

    大电流上升沿:典型值15μs
    最大电压:3500V
    最大电流:6000A
    温控精度:±1℃
    温控范围:25℃~150℃
    漏电流测试范围:1nA~100mA
    电压精度:0.10%
    电容测试精度:0.5%
    电容测试范围:0.01pF~9.9999F
    电容测试频率范围:10Hz~1MHz
    电流精度:0.05%
  • 武汉普赛斯仪表 普赛斯CTMS-1000A 半导体测试设备

    上升沿速度:300A/μs
    可集成环境:温箱
    可集成设备:数字万用表、示波器
    夹具类型:穿心式、连接式
    最大输出电流:1000A
    测试功能:静态参数、动态参数、阶跃响应时间、交流带宽、噪声频谱、线性度、温度漂移曲线
    测量精度:0.1%
    适用传感器类型:开环/闭环霍尔电流传感器、罗氏线圈、磁通门电流传感器
  • 武汉普赛斯仪表 PMST-8000V/6000A 半导体测试设备

    导通电阻测量精度:μΩ级
    支持测试项目:Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线、C-V特性曲线
    最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV)
    最大输出电流:6000A(多模块并联)
    漏电流测量精度:nA级
    电荷测量精度:μQ级
    静态参数测量精度:0.1%
  • 武汉普赛斯仪表 高电压PMST-8000V 半导体测试设备

    导通电阻测量精度:μΩ级
    扩展性:支持常温及高温测试,可定制夹具
    最大输出电压:3500V(最大可扩展至10kV)
    最大输出电流:6000A(多模块并联)
    测试效率:支持国标全指标一键测试
    测量精度:0.1%
    漏电流测量精度:nA级
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