产品概述
武汉普赛斯仪表推出的半导体参数CV测试仪，广泛应用于半导体器件的电容-电压（C-V）特性测试，尤其适用于MOS结构和MOSFET器件的参数分析。通过C-V曲线测试，可精确测量二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层中可动电荷和固定电荷面密度等关键参数。
系统由LCR表、源表（SMU）、矩阵开关和上位机软件组成，支持10Hz至1MHz的宽频测试范围，具备高精度和大动态范围。内置自动化CV测试软件，支持C-V、C-T、C-F等多种测试模式，并兼容IV测试功能。
核心特点/优势
- 频率范围宽：10Hz~1MHz连续频率点可调
- 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%
- 内置CV测试：支持C-V、C-T、C-F等多项测试功能
- 兼容IV测试：支持击穿特性及漏电流测试
- 实时曲线绘制：软件界面直观展示测试数据及曲线
- 扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配
应用领域
- 半导体功率器件测试
- MOS结构电容-电压特性分析
- 氧化层厚度与电荷密度测量
- 衬底掺杂浓度评估
- 器件击穿与漏电流特性测试
选型指南/使用建议
建议根据测试器件类型（如MOSFET、IGBT、DIODE）选择合适的测试配置。系统支持多种测试参数和模式，适用于实验室研究及生产测试环境。使用时需注意电压偏置范围和精度设置，确保测试信号稳定，避免过压损坏器件。
普赛斯仪表 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| AC测试信号准位 | 10mV至2Vrms(1mVrms解析度) | |
| DCR测量范围 | 0.001mΩ-9.999MΩ | |
| DC测试信号准位 | 10mV至2V(1mVrms解析度) | |
| D值测量范围 | 0.00001-9.9999 | |
| Q值测量范围 | 0.1-9999.9 | |
| 偏压精度 | 0.1% | |
| 偏压范围 | 0V-3500V | |
| 基本准确度 | ±0.05% | |
| 导纳测量范围 | 0.1nS-99.999S | |
| 接口类型 | RS232、LAN | |
| 支持测试参数 | Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS、Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES、CJ、IR、VR | |
| 支持测试器件类型 | DIODE、MOSFET、IGBT | |
| 测试方式 | 点测、图形扫描 | |
| 测试频率范围 | 10Hz-1MHz | |
| 源测精度 | 0.03%-0.1% | |
| 电容测量范围 | 0.01pF-9.9999F | |
| 电感测量范围 | 0.1nH-9.999kH | |
| 电阻测量范围 | 0.001mΩ-99.999MΩ | |
| 相位角测量范围 | -180° -+180° | |
| 编程协议 | SCPI、LabView | |
| 输出阻抗 | 100Ω | |
| 频率输出精确度 | ±0.01% |
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