产品概述
武汉普赛斯仪表PSMT-4000A半导体测试设备是一款专为半导体分立器件特性参数测试设计的静态测试系统。该系统通过向待测器件（DUT）施加电压或电流，测量其响应，实现对功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN等第三代半导体）的静态参数测试。系统具备高电压（最高3500V）、大电流（最高6000A）测试能力，支持多种封装类型的功率器件测试，具备uΩ级电阻和pA级电流的高精度测量能力。系统采用模块化设计，便于用户扩展和升级。
核心特点/优势
- 单台最大3500V输出，满足高电压测试需求
- 单台最大1000A输出，支持并联至6000A，满足大电流测试需求
- 15us的超快电流上升沿，提升测试效率
- 支持同步测量，确保测试数据一致性
- 支持国标全指标自动化测试，提升测试标准化水平
- 支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等
- 模块化设计，便于用户扩展和升级测试功能
应用领域
- 适用于MOSFET、IGBT、BJT等功率器件的静态参数测试
- 适用于SiC、GaN等第三代半导体器件的测试
- 适用于半导体分立器件的I-V特性曲线扫描和C-V特性曲线扫描
- 适用于功率器件的结电容测试
- 适用于半导体制造、研发、质量检测等环节
PSMT-4000A 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 最大电压 | 3500V | |
| 最大电流 | 6000A | |
| 栅极-发射极最大电压 | 300V | |
| 栅极-发射极最大电流 | 1A（直流）/10A（脉冲） | |
| 栅极-发射极最小电压分辨率 | 30uV | |
| 栅极-发射极最小电流分辨率 | 10pA | |
| 栅极-发射极电压精度 | 0.05% | |
| 温控精度 | ±1℃ | |
| 温控范围 | 25℃~150℃ | |
| 电容测试精度 | 0.5% | |
| 电容测试范围 | 0.01pF~9.9999F | |
| 电容测试频率范围 | 10Hz~1MHz | |
| 集电极-发射极电压精度 | 0.10% | |
| 集电极-发射极电流上升沿 | 典型值15us |
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