产品概述
SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发的高精度半导体电学特性测试系统，支持DC I-V、C-V及脉冲I-V测试，适用于前沿材料研究、芯片设计及先进工艺开发。该系统具备宽测量范围（30μV-1200V，1pA-100A）、高精度（0.03%）、模块化架构及灵活配置能力，可满足多种半导体器件的测试需求。
核心特点/优势
- 支持30μV-1200V、1pA-100A宽量程测试
- 全量程测量精度高达0.03%
- 支持直流、脉冲、AC电容等多种测试模式
- 内置标准测试程序，支持自动参数提取与数据绘图分析
- 支持高低温测试环境，兼容探针台与温控模块
- 提供灵活夹具定制方案，兼容多种封装器件
- 支持多通道配置，最大3通道低压IV，1通道高压/高流/电容
应用领域
- 纳米、柔性材料特性分析
- 二极管、MOSFET、BJT、IGBT等晶体管测试
- 第三代半导体材料/器件测试
- 有机OFET器件测试
- LED、OLED、光电器件测试
- 半导体电阻式传感器测试
- EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管测试
- 电阻率系数和霍尔效应测量
- 太阳能电池测试
- 非易失性存储设备测试
- 失效分析
选型指南/使用建议
SPA-6100支持多种测试单元组合配置，用户可根据测试需求选择低压直流IV、低压脉冲IV、高压IV、高流IV及电容测量单元。低压IV单元最多支持3通道，高压IV与高流IV单元最多支持1通道，电容测量单元支持1通道。推荐根据测试对象的电压、电流及频率需求进行模块化选型，以实现测试效率与成本的平衡。
SPA6100 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 支持测试器件 | 二极管、MOSFET、IGBT、SiC、GaN、LED、OLED、传感器、太阳能电池、存储器 | |
| 支持测试模式 | 直流、脉冲、AC电容 | |
| 支持测试类型 | I-V、C-V、C-f、C-t | |
| 最大通道数量 | 3（低压直流/脉冲IV）, 1（高压IV/高流IV/电容） | |
| 测量精度 | 0.03% | |
| 电压范围 | 30μV-1200V | |
| 电容测量频率范围 | 10Hz-1MHz | |
| 电流范围 | 1pA-100A | |
| 脉冲最小脉宽 | 80μs | |
| 脉冲电流最大值 | 100A |
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