产品概述
电容-电压（C-V）测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS（金属-氧化物-半导体）结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测试可以方便地确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表（SMU）负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。
进行C-V测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。
核心特点/优势
- 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调
- 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%
- 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压）、C-T（电容-时间）、C-F（电容-频率）等多项测试功能
- 兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试
- 实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控
- 扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配
应用领域
- 半导体功率器件测试
- MOS结构参数分析
- 氧化层特性评估
- 衬底掺杂浓度测量
- 电荷密度分析
选型指南/使用建议
推荐配置包括LCR表、源表（SMU）、矩阵开关和上位机软件。使用时需注意直流偏压范围和精度，确保测试信号准位在10mV至2V之间。系统支持RS232和LAN接口，适用于实验室和生产线环境。
武汉普赛斯仪表 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| AC测试信号准位 | 10mV至2Vrms(1mVrms解析度) | |
| DC偏压精度 | 0.1% | |
| DC偏压范围 | 0V~3500V | |
| DC测试信号准位 | 10mV至2V(1mVrms解析度) | |
| 基本准确度 | ±0.05% | |
| 导纳测量范围 | 0.1nS-99.999S | |
| 接口类型 | RS232、LAN | |
| 支持测试参数 | Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS、CJ、IR、VR、Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES | |
| 测试方式 | 点测、图形扫描 | |
| 测试频率范围 | 10Hz-1MHz | |
| 漏电流测试精度 | ≥10pA | |
| 电容测量范围 | 0.01pF-9.9999F | |
| 电感测量范围 | 0.1nH-9.999kH | |
| 电阻测量范围 | 0.001mΩ-99.999MΩ | |
| 编程协议 | SCPI、LabView | |
| 输出阻抗 | 100Ω | |
| 频率输出精确度 | ±0.01% |
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