武汉普赛斯仪表 PMST8000V 半导体测试设备

产品概述

普赛斯PMST8000V半导体结电容分析系统是一款集多种测量和分析功能于一体的高精度测试设备，适用于不同封装类型的功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT、SiC、GaN等）的静态参数测试。系统具备高电压、大电流、μΩ级导通电阻、nA级漏电流测试能力，支持输入电容、输出电容、反向传输电容等结电容测试，频率最高可达1MHz。系统采用模块化设计，支持多种测试模块的灵活配置与升级，可与探针台、高低温箱等设备配合使用，满足晶圆级测试及高低温测试需求。

核心特点/优势

• 支持高达3500V电压测试，最大扩展至10kV
• 支持高达6000A大电流测试，典型上升时间为15μs
• 具备μΩ级导通电阻、nA级漏电流测试能力
• 内置多种测试模板，支持一键配置与测试
• 支持I-V、C-V特性曲线扫描，测试数据可导出
• 模块化设计，便于维护与升级
• 支持温控功能扩展，满足高低温测试需求
• 支持晶圆级芯片测试，兼容多种测试场景

应用领域

• 功率器件静态参数测试
• 第三代半导体（SiC、GaN）测试
• 晶圆级芯片测试
• 高低温环境下的电性能测试

选型指南/使用建议

建议根据测试器件的电压、电流等级选择合适的测试模块配置。系统支持与探针台、高低温箱等设备联用，测试环境需保持稳定，避免电磁干扰。测试数据可导出为表格或图形，便于分析与存档。