产品概述
SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发的高精度半导体电学特性测试系统，支持DC I-V、C-V及高流高压脉冲I-V测试。该系统采用模块化设计，用户可根据测试需求灵活配置不同测量单元，适用于前沿材料研究、半导体芯片设计及先进工艺开发。
系统支持最高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率，以及10Hz至1MHz范围内的多频AC电容测量。配备专用半导体参数测试软件，支持手动与自动操作，可与高低温箱、探针台等设备兼容，实现高效、可重复的器件表征。
核心特点/优势
- 30μV-1200V, 1pA-100A宽量程测试能力
- 全量程下测量精度高达0.03%
- 支持IV与CV测量模式快速切换，无需重新布线
- 内置标准器件测试程序，操作简便
- 支持自动实时参数提取、数据绘图与分析
- 提供灵活夹具定制方案，兼容性强
- 支持SCPI指令集，软件免费
应用领域
- 纳米、柔性材料特性分析
- 二极管、晶体管、IGBT等器件测试
- 第三代半导体材料/器件测试
- 有机OFET器件测试
- LED、OLED、光电器件测试
- 半导体传感器测试
- 激光二极管（EEL、VCSEL、PD、APD）测试
- 电阻率系数和霍尔效应测量
- 太阳能电池测试
- 非易失性存储设备测试
- 失效分析
选型指南/使用建议
SPA-6100支持多种测量单元组合配置，用户可根据测试需求选择低压直流I-V、低压脉冲I-V、高压I-V、高流I-V及电容测量单元。低压直流与脉冲I-V单元最多支持3个通道，高压与高流I-V单元最多支持1个通道，电容测量单元最多支持1个通道。
| 测试单元 最大通道数量 | 主要规格 | |
| 低压直流I-V源测量单元 | SPA-S100 3 | 0.1%精度，30V/1A，10pA |
| SPA-S200 3 | 0.1%精度，100V/1A，10pA | |
| SPA-S300 3 | 0.1%精度，300V/1A，10pA | |
| SPA-S100B 3 | 0.03%精度，30V/3A，10pA | |
| SPA-S200B 3 | 0.03%精度，100V/3A，10pA | |
| SPA-S300B 3 | 0.03%精度，300V/3A，10pA | |
| SPA-P100 3 | 0.1%精度，30V/1A（直流）/10A（脉冲），1pA | |
| 低压脉冲I-V源测量单元 SPA-P200 3 | 0.1%精度，100V/1A（直流）/10A（脉冲），1pA | |
| SPA-P300 3 | 0.1%精度，300V/1A（直流）/10A（脉冲），1pA | |
| 高压I-V源测量单元 SPA-E100 11 | 0.1%精度，1200V/100mA，100pA | |
| 高流I-V源测量单元 | SPA-HCP100 1 | 0.1%精度，50V/30A（直流）/30A（脉冲），10pA |
| SPA-HCP200 1 | 0.1%精度，50V/30A（直流）/50A（脉冲），10pA | |
| SPA-HCP300 1 | 0.1%精度，100V/30A（直流）/100A（脉冲），10pA | |
| 电容测量单元 | SPA-C100 11 | 0.5%精度，10Hz-1MHz |
| PSS专用测试软件 | PSS SPA-6100 1 | 专用半导体参数测试软件 |
| 夹具（选配） | / / | 根据客户实际需求而定 |
SPA-6100 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 支持测试器件 | 二极管、晶体管、IGBT、第三代半导体、光电器件、传感器等 | |
| 支持测试模式 | 直流、脉冲、AC电容 | |
| 支持测试类型 | I-V、C-V | |
| 最大通道数量 | 3 | |
| 测量精度 | 0.03% | |
| 电压范围 | 30μV-1200V | |
| 电容测量频率范围 | 10Hz-1MHz | |
| 电流范围 | 1pA-100A | |
| 脉冲最小脉宽 | 200μs | |
| 脉冲电流最大值 | 100A |
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