武汉普赛斯仪表 PMST-6000A 半导体测试设备

产品概述

武汉普赛斯仪表推出的PMST-6000A IGBT静态参数测试系统，是一款高精度、宽测量范围、模块化设计的半导体测试设备。该系统可支持IV、CV、跨导等多种测试功能，适用于功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT、SiC、GaN等各类半导体器件的静态参数表征和测试。系统支持手动交互操作或与探针台联动的自动操作，可与高低温箱、温控模块等配合使用，满足高低温测试需求。

核心特点/优势

• 采用模块化集成设计，支持灵活扩展和升级，提升测试效率和产线UPH。
• 栅极-发射极支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至pA级漏电流。
• 集电极-发射极支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间15μs，具备电压高速同步采样功能。
• 电压输出最高可达3500V（可扩展至10kV），自带漏电流测量功能。
• 电容测试频率最高支持1MHz，可灵活选配。
• 高压模块建立时间小于5ms，有效减少待测物发热，提升测试准确性。
• 漏电流测试能力优于国际品牌，可覆盖车规级高温漏电流测试。
• VCE(sat)测试支持高速窄脉冲电流源，具备同步采样电压功能。
• 提供快速灵活的客制化夹具解决方案，支持多种功率器件封装类型。

应用领域

• 适用于功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT等传统半导体器件的静态参数测试。
• 适用于宽禁带半导体SiC、GaN等器件的静态参数测试。
• 适用于晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征。
• 适用于高低温环境下的器件性能测试。
• 适用于产线测试、研发测试、质量检测等多种应用场景。