武汉普赛斯仪表 武汉普赛斯 半导体测试设备

产品概述

电容-电压（C-V）测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS（金属-氧化物-半导体）结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测试可以方便地确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1和固定电荷面密度Qfc等参数。

普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表（SMU）负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。

进行C-V测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。

核心特点/优势

• 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；
• 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
• 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试功能；
• 兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
• 实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
• 扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配。

应用领域

• 功率半导体器件测试