产品概述
武汉普赛斯仪表推出的高电压PMST-8000V半导体测试设备，是基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案。该设备专为SiC和GaN器件设计，提供高精度、高效率的静态参数测量与分析，覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。
核心特点/优势
- 高电压、大电流：电压高达3500V（最大可扩展至10kV），电流高达6000A（多模块并联）
- 高精度测量：支持nA级漏电流、μΩ级导通电阻，测量精度达0.1%
- 模块化配置：可根据测试需求灵活配置多种测量单元，预留升级空间
- 测试效率高：内置专用开关矩阵，支持国标全指标一键测试
- 扩展性好：支持常温及高温测试，可灵活定制各种夹具
应用领域
- 半导体功率器件测试
- SiC器件测试
- GaN器件测试
- 晶圆测试
- 器件生产测试
选型指南/使用建议
根据测试对象的电压、电流等级选择合适的模块配置，建议预留升级空间以适应未来测试需求。设备支持常温及高温测试，需根据测试环境选择合适的夹具和散热方案。
高电压PMST-8000V 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 导通电阻测量精度 | μΩ级 | |
| 扩展性 | 支持常温及高温测试，可定制夹具 | |
| 最大输出电压 | 3500V（最大可扩展至10kV） | |
| 最大输出电流 | 6000A（多模块并联） | |
| 测试效率 | 支持国标全指标一键测试 | |
| 测量精度 | 0.1% | |
| 漏电流测量精度 | nA级 |
产品替代
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