Precise Instrument 普赛斯仪表 普赛斯PMST-3500V 半导体测试设备

大功率分立器件测试设备静态参数分析仪

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2025-11-25 10:31:52
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产品概述

普赛斯PMST-3500V大功率分立器件测试设备是一款专为半导体功率器件静态参数测试设计的高精度测试系统。该系统通过施加电压或电流激励,测量器件的响应特性,适用于MOSFET、IGBT、BJT、SiC、GaN等功率器件的全面静态参数测试。系统具备高达3500V的电压输出能力(最大可扩展至10kV),最大测试电流可达6000A(多模块并联),并支持nA级漏电流、μΩ级导通电阻的高精度测量。系统采用模块化设计,支持灵活配置与升级,满足不同封装类型器件的测试需求。

核心特点/优势

  • 高电压、大电流:支持高达3500V电压输出,最大可扩展至10kV;最大测试电流可达6000A(多模块并联)。
  • 高精度测量:具备nA级漏电流、μΩ级导通电阻测量能力,整体测量精度达0.1%。
  • 模块化配置:系统采用模块化设计,用户可根据测试需求灵活配置测量单元,并支持后期升级。
  • 测试效率高:内置专用开关矩阵,支持一键测试国标全指标,自动切换电路与测量单元。
  • 扩展性强:支持常温及高温测试,可灵活定制各种夹具,适应不同测试环境。

应用领域

  • 适用于MOSFET、IGBT、BJT等传统功率器件的静态参数测试。
  • 支持SiC、GaN等第三代半导体器件的高精度测试。
  • 广泛应用于半导体材料与器件测试领域,覆盖从晶圆到器件生产全产业链。
  • 适用于功率器件研发、质量控制、生产测试等场景。

选型指南/使用建议

建议根据待测器件的电压、电流等级及测试需求选择合适的模块配置。系统支持多模块并联扩展,以满足大电流测试需求。测试环境应保持稳定,支持常温及高温测试。系统采用模块化设计,便于后期升级与维护。

普赛斯PMST-3500V 半导体测试设备选型参数

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支持器件类型 MOSFET、BJT、IGBT、SiC、GaN等功率器件
支持测试项目 Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描
最大测试电压 3500V(最大可扩展至10kV)
最大测试电流 6000A(多模块并联)
最小导通电阻测量能力 μΩ级
最小漏电流测量能力 nA级
测试模式 静态参数测试
测试环境 常温及高温测试
测量精度 0.1%
系统设计 模块化设计,支持升级与扩展

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