产品概述
普赛斯PMST-3500V大功率分立器件测试设备是一款专为半导体功率器件静态参数测试设计的高精度测试系统。该系统通过施加电压或电流激励,测量器件的响应特性,适用于MOSFET、IGBT、BJT、SiC、GaN等功率器件的全面静态参数测试。系统具备高达3500V的电压输出能力(最大可扩展至10kV),最大测试电流可达6000A(多模块并联),并支持nA级漏电流、μΩ级导通电阻的高精度测量。系统采用模块化设计,支持灵活配置与升级,满足不同封装类型器件的测试需求。
核心特点/优势
- 高电压、大电流:支持高达3500V电压输出,最大可扩展至10kV;最大测试电流可达6000A(多模块并联)。
- 高精度测量:具备nA级漏电流、μΩ级导通电阻测量能力,整体测量精度达0.1%。
- 模块化配置:系统采用模块化设计,用户可根据测试需求灵活配置测量单元,并支持后期升级。
- 测试效率高:内置专用开关矩阵,支持一键测试国标全指标,自动切换电路与测量单元。
- 扩展性强:支持常温及高温测试,可灵活定制各种夹具,适应不同测试环境。
应用领域
- 适用于MOSFET、IGBT、BJT等传统功率器件的静态参数测试。
- 支持SiC、GaN等第三代半导体器件的高精度测试。
- 广泛应用于半导体材料与器件测试领域,覆盖从晶圆到器件生产全产业链。
- 适用于功率器件研发、质量控制、生产测试等场景。
选型指南/使用建议
建议根据待测器件的电压、电流等级及测试需求选择合适的模块配置。系统支持多模块并联扩展,以满足大电流测试需求。测试环境应保持稳定,支持常温及高温测试。系统采用模块化设计,便于后期升级与维护。
普赛斯PMST-3500V 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 支持器件类型 | MOSFET、BJT、IGBT、SiC、GaN等功率器件 | |
| 支持测试项目 | Vces、V(br)ces、Vcesat、Ices、Iges、Vges、Vge(th)、输入电容、输出电容、反向传输电容、Vf、I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描 | |
| 最大测试电压 | 3500V(最大可扩展至10kV) | |
| 最大测试电流 | 6000A(多模块并联) | |
| 最小导通电阻测量能力 | μΩ级 | |
| 最小漏电流测量能力 | nA级 | |
| 测试模式 | 静态参数测试 | |
| 测试环境 | 常温及高温测试 | |
| 测量精度 | 0.1% | |
| 系统设计 | 模块化设计,支持升级与扩展 |
产品替代
找到 个替代产品
温馨提示
若上述内容存在差异,请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书,请点击联系销售。
声明:本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题,请联系本网处理,侵权内容将在一周内下架整改。
半导体测试设备相关品牌
广告
半导体测试设备同类产品
加载中···