产品概述
普赛斯PMST-8000V功率半导体测试机是一款专为功率器件静态参数测试设计的高精度测试系统。该系统适用于多种封装类型的功率器件，包括MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN等第三代半导体器件。系统具备高电压、大电流、高精度测试能力，支持多种测试项目，如I-V特性曲线扫描、C-V特性曲线扫描、输入电容、输出电容、反向传输电容等。
系统采用模块化设计，内置多种电压、电流、电容测量单元模块，支持灵活配置与升级。结合专用上位机软件，用户可快速设置测试参数并生成测试报告。系统还可与探针台、高低温箱等设备配合使用，实现晶圆级测试与高低温测试。
核心特点/优势
- 支持高达3500V电压测试，最大扩展至10kV
- 支持高达6000A大电流测试，典型上升时间为15μs
- 测试精度达0.1%，支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试
- 内置丰富测试模板，支持一键导出参数配置与测试结果
- 支持图形界面与表格展示测试结果，并可一键导出
- 模块化设计，便于维护与升级
- 支持温控功能扩展，满足高低温测试需求
- 可根据用户测试场景进行定制化开发
应用领域
- SiC/IGBT/GaN第三代半导体器件测试
- 大功率激光器测试
- PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源
PMST-8000V 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 最大集电极-发射极电压 | 3500V | |
| 最大集电极-发射极电流 | 6000A | |
| 最小电压分辨率 | 30μV | |
| 最小电流分辨率 | 10pA | |
| 栅极-发射极大电流（脉冲） | 10A | |
| 栅极-发射极最大电压 | 300V | |
| 栅极-发射极测试精度 | ±0.05% | |
| 温控精度 | ±2℃ | |
| 温控范围 | 25℃-200℃ | |
| 电容测试精度 | ±0.5% | |
| 电容测试范围 | 0.01pF-9.9999F | |
| 电容测试频率范围 | 10Hz~1MHz | |
| 集电极-发射极大电流上升沿 | 典型值15μs | |
| 集电极-发射极大电流脉宽 | 50μs-500μs | |
| 集电极-发射极测试精度 | ±0.1% |
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