产品概述
PMST-8000V是武汉普赛斯自主研发的高电压功率半导体静态测试系统，专为满足功率半导体器件在高电压、大电流条件下的静态参数测试需求而设计。该系统支持IV、CV、跨导等测试功能，具备高精度、宽测量范围、模块化设计和灵活扩展能力，适用于从实验室到量产线的多种测试场景，全面覆盖Si IGBT、SiC MOS、GaN HEMT等宽禁带半导体器件的静态参数表征。
核心特点/优势
- 支持高达3500V（最大可扩展至10kV）的电压输出和6000A（多模块并联）的大电流输出
- 具备nA级漏电流和μΩ级导通电阻的高精度测量能力
- 采用脉冲式大电流源和高压源，响应快、无过冲，有效降低测试误差
- 支持恒压限流和恒流限压模式，保障器件测试安全
- 模块化设计，支持灵活配置与后期升级
- 内置专用开关矩阵，实现测试项目自动切换，提升测试效率
- 支持常温及高温测试，兼容多种模块封装形式
应用领域
- 功率二极管静态参数测试
- MOSFET静态参数测试
- BJT静态参数测试
- IGBT静态参数测试
- SiC MOS器件静态参数测试
- GaN HEMT器件静态参数测试
- 晶圆级静态参数测试
- 芯片级静态参数测试
- 器件模块静态参数测试
- 电力电子模块（PM）静态参数测试
选型指南/使用建议
根据测试需求选择PMST系列中的PMST、PMST-MP或PMST-AP系统。建议在高温测试场景中配置专用温控夹具，确保测试环境稳定。系统支持多种模块封装形式，用户可根据实际测试对象更换测试夹具。测试过程中应确保电源和接地回路低电感设计，以提升测量精度和稳定性。
武汉普赛斯PMST-8000V 半导体测试设备选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 导通电阻测量精度 | μΩ级 | |
| 整体测量精度 | 0.1% | |
| 最大输出电压 | 3500V（最大可扩展至10kV） | |
| 最大输出电流 | 6000A（多模块并联） | |
| 测试模式 | 恒压限流、恒流限压 | |
| 漏电流测量精度 | nA级 | |
| 电流上升时间 | 15μs | |
| 脉冲宽度范围 | 50-500μs |
产品替代
找到 个替代产品
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
半导体测试设备相关品牌
广告
半导体测试设备同类产品
加载中···
