三菱电机发布4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品，面向电动汽车与可再生能源领域
三菱电机近日宣布，将于2026年1月21日起提供4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品。这些裸芯片专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器以及太阳能发电系统等功率器件应用而设计。与传统结构相比，该系列芯片在降低功耗方面展现出显著优势，适用于多种封装形式。
为配合此次发布，三菱电机将在2026年1月21日至23日于东京举办的第40届日本Nepcon研发与制造展上展出相关样品，并计划在北美、欧洲、中国、印度等全球多个市场进行推广。
市场趋势推动高性能功率器件需求增长
在全球积极应对气候变化、推动碳中和的背景下，功率器件市场迎来显著扩张。高效、低功耗的功率半导体成为电动汽车与可再生能源系统中不可或缺的组成部分，特别是在提升系统性能和能效方面发挥关键作用。
技术积累推动创新，SiC-MOSFET实现性能跃升
自2010年起，三菱电机已持续提供SiC功率半导体模块，广泛应用于空调、工业设备及铁路逆变系统，有效降低能耗。此次推出的4款沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，基于公司现有技术平台进行了结构优化，与平面栅型SiC-MOSFET相比，功率损耗降低了约50%。
这一改进得益于三菱电机在栅极氧化膜制造等核心工艺上的突破，有助于在长期运行中维持低导通电阻和高可靠性。
多样化产品线满足功率器件封装需求
- 这4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片覆盖了电动汽车主驱逆变器、车载充电器及太阳能发电系统等关键应用领域，进一步扩展了三菱电机在功率器件市场的布局。
结构优化带来显著性能提升
- 沟槽栅型SiC-MOSFET通过微型化工艺，有效降低了导通电阻，同时采用三菱电机特有的倾斜离子注入工艺，相较传统垂直注入方式减少了开关损耗。这些改进共同推动功率器件整体能耗的显著下降。
制造工艺保障长期稳定性能
- 基于20余年在平面栅型SiC-MOSFET及SiC-SBD领域的研发积累，三菱电机开发了适用于沟槽结构的独特制造流程。该工艺有助于在高频率开关操作中抑制性能波动，确保器件在长期使用中的稳定性。
更多关于三菱电机功率器件的详情，可访问：https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/powerdevices/
术语解释
- 1 沟槽栅型结构：在晶圆表面蚀刻沟槽并嵌入栅电极的特殊结构。
- 2 主驱逆变器：用于电动汽车和混合动力汽车中驱动电机的功率变换装置。
- 3 车载充电器：将外部交流电源转换为直流电源，用于电动汽车电池充电的设备。
- 4 参见2024年11月12日发布的相关公告：https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2024/1112/
- 5 平面栅型结构：栅电极位于晶圆表面之上的传统结构。
- 6 性能对比基于相同阈值电压条件下的导通电阻测试。
- 7 SiC-SBD：利用半导体与金属交界处形成的肖特基势垒工作的二极管。