三菱电机推出四款新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，助力功率系统性能提升
此次发布的沟槽栅型SiC-MOSFET晶圆（左）与裸芯片（右）展示了其先进的结构设计和制造工艺。
2026年1月14日，三菱电机宣布，将于1月21日起提供四款全新的沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片。这些裸芯片适用于电动汽车主驱逆变器、车载充电器以及太阳能等可再生能源系统的功率器件封装。新款产品在保持优异性能的同时，显著降低了系统的整体功耗。
在1月21日至23日于东京举办的第40届日本Nepcon研发与制造展上，三菱电机将展示该系列新型裸芯片。同时，该公司还计划在北美、欧洲、中国、印度等地区进行推广。
全球在推动脱碳目标的背景下，功率器件市场持续扩大，对高性能功率半导体的需求日益增长。具备更高效率的功率芯片，正在助力电动汽车主驱系统与可再生能源系统在保证性能的同时实现更低的能耗。
自2010年起，三菱电机便开始提供SiC功率半导体模块，广泛应用于空调、工业设备及铁路车辆的逆变系统中，显著降低了能耗。此次推出的四款新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，继承了三菱电机在沟槽栅型结构上的技术优势，并进一步优化了结构设计。
与传统平面栅型SiC-MOSFET相比，新型沟槽栅结构的功率损耗减少了约50%。此外，三菱电机独有的栅极氧化膜制造工艺，有助于控制功率损耗与导通电阻的波动，从而提升功率器件在长期使用中的稳定性与可靠性。
四款新裸芯片拓展功率器件应用边界
- 这四款新型裸芯片将应用于电动汽车主驱逆变器、车载充电器及可再生能源供电系统等多个关键领域，进一步丰富三菱电机在SiC功率器件市场的解决方案。
结构优化显著降低能量损耗
- 沟槽栅型SiC-MOSFET采用微型化制造工艺，通过优化结构设计，大幅降低了导通电阻。三菱电机特有的倾斜离子注入技术相比传统垂直注入方式，有效减少开关损耗，从而提升整体能效。
先进制造工艺保障器件稳定性
- 该系列裸芯片基于三菱电机二十余年来在SiC-MOSFET和平面栅型SiC-SBD领域的研究成果，并结合沟槽栅结构的专有制造工艺。这种技术组合可有效抑制因开关操作导致的功率损耗与电阻波动，确保器件在长期运行中保持一致的性能。
更多关于功率器件的技术信息可访问：www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/
1：一种在晶圆表面蚀刻出沟槽并嵌入栅电极的结构。
2：用于电动汽车及混动汽车主驱电机的功率转换装置。
3：安装在电动汽车和插电式混合动力汽车中，将外部交流电源转换为直流电源进行电池充电的设备。
4：2024年11月12日发布信息可访问：https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2024/1112/
5：一种将栅电极置于晶圆表面的结构。
6：在与现有同电压等级平面栅型MOSFET调整相同阈值电压后进行的导通电阻比较。
7：利用半导体与金属交界面形成的肖特基势垒工作的二极管。
8：电气及电子设备中某些有害物质的使用限制。