三菱电机推出四款沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，拓展功率器件产品线
三菱电机于2026年1月14日宣布，将于1月21日起向市场提供四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品。这些芯片未封装，专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器以及太阳能发电系统等高功率应用设计。
新款裸芯片将在1月21日至23日于东京举行的第40届日本Nepcon研发与制造展中展出，并计划在北美、欧洲、中国、印度等全球主要市场进行展示。
全球脱碳推动功率器件需求上升
随着各国加快碳中和目标的实施，功率器件市场正持续扩张。嵌入式高性能功率半导体成为系统设计的关键，尤其在电动汽车主驱逆变器和可再生能源系统中，能够实现高效的能量转换与控制。
自2010年以来，三菱电机持续提供SiC功率半导体模块，广泛应用于空调系统、工业设备及铁路车辆逆变系统。此次推出的四款沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，基于公司在SiC技术领域多年积累，结构进一步优化，相较于传统平面栅型SiC-MOSFET，其功率损耗降低约50%。三菱电机还采用了独有的栅极氧化膜制造工艺，有效控制导通电阻波动，保障长期使用中的可靠性。
四款新产品覆盖多样化应用场景
- 新款SiC-MOSFET裸芯片扩展了三菱电机在功率器件市场的应用范围，适用于电动汽车主驱逆变器、车载充电系统及太阳能逆变器等。
沟槽结构优化实现更低功耗
- 沟槽栅型SiC-MOSFET利用微细化制造工艺，结合倾斜离子注入技术，相较于传统垂直注入方式，显著降低开关损耗。其导通电阻和开关损耗的综合优化，使整体功率损耗下降约一半，有助于提升功率器件能效。
专有制造工艺保障产品稳定性
- 这些裸芯片基于三菱电机20余年在平面栅型SiC-MOSFET和SiC-SBD领域积累的研发经验，并引入针对沟槽结构的专属栅极氧化膜制造方法。这些先进工艺确保芯片在高频率开关操作下仍能保持稳定的性能，满足长期运行需求。
更多关于三菱电机功率器件的信息，可访问其官网：Mitsubishi Electric Power Devices
术语说明
- 1. 沟槽栅型：在晶圆表面蚀刻沟槽并嵌入栅电极的一种结构。
- 2. 主驱逆变器：用于电动汽车和混合动力汽车中驱动电机的功率转换装置。
- 3. 车载充电器：将外部交流电转换为直流电，为电动汽车电池充电的设备。
- 4. 2024年11月12日公布：二极管：利用半导体与金属之间势垒工作的二极管。