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      3VD768600SPYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管；采用士兰DPMOS工艺平台制造；较低的导通电阻；较低的传导损耗和开关损耗；开关速度快；封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，照明等领域。

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    • DONGHAI 东海半导体 DCC040M65G3 MOSFET

      Continuous Drain Current:60A
      Diode Forward Voltage:3.9V
      Diode Max Current:51A
      Diode Reverse Recovery Charge:99nC
      Diode Reverse Recovery Time:14ns
      Drain-Source On-State Resistance:52mΩ
      Drain-Source Voltage:650V
      Fall Time:5ns
      Gate Threshold Voltage:2.0V ~ 4.0V
      Gate Total Charge:39nC
      Gate-Drain Charge:13nC
      Gate-Source Charge:14nC
      Gate-Source Leakage Current:250nA
      Gate-Source Voltage:-10V ~ +23V
      Input Capacitance:1301pF
      Internal Gate Resistance:2Ω
      Operating Junction Temperature:-55℃ ~ 175℃
      Output Capacitance:107pF
      Peak Reverse Recovery Current:5A
      Power Dissipation:227W
      Pulsed Drain Current:176A
      Reverse Transfer Capacitance:5pF
      Rise Time:9ns
      Storage Temperature:-55℃ ~ 175℃
      Thermal Resistance Junction-Ambient:40℃/W
      Thermal Resistance Junction-Case:0.66℃/W
      Turn-Off Delay Time:16ns
      Turn-Off Switching Energy:40μJ
      Turn-On Delay Time:7ns
      Turn-On Switching Energy:128μJ
      Zero Gate Voltage Drain Current:100μA

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    • Banner Engineering Corporation VS8ANFF30Q3 MOSFET

      VS8ANFF30Q3是一款由Vishay推出的30V N沟道功率MOSFET，专为汽车级应用设计。该器件采用先进的平面技术，提供极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率和空间受限的电源管理方案。
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