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Silan 士兰微
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Silan 士兰微 3VD768600SPYH MOSFET
3VD768600SPYH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;采用士兰DPMOS工艺平台制造;较低的导通电阻;较低的传导损耗和开关损耗;开关速度快;封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,照明等领域。
ARKmicro 方舟微电子
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ARKmicro 方舟微电子 DMX1072 MOSFET
耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_0.3A_1.0W_SOT-89
北京东科
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北京东科 60V P 沟道沟槽型 场效应管 MOSFET MOSFET
北京东科 60V P 沟道沟槽型 场效应管 MOSFET MOSFET
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