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MOS 管

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    • Silan 士兰微 SVS60R570F(FJD)(D)E3 MOS 管

      SVS60R570F(FJD)(D)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。此外,SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
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