产品概述
DCC040M65G3 是一款 650V、60A 高压 N 沟道 SiC MOSFET，采用 TO-247-3 封装，典型导通电阻 40mΩ，专为高频、高效率和高可靠性功率变换系统而设计。凭借碳化硅（SiC）材料的优异特性，该器件在高压大电流工况下具备低导通损耗与良好的热管理能力。
核心特点/优势
- 650V 高漏源耐压与 60A 连续漏极电流，满足高压功率应用需求
- 典型导通电阻低至 40mΩ，可降低导通损耗并提升系统效率
- 最高工作结温达 175℃，具备出色的耐高温与高频工作能力
- TO-247-3 封装，便于高效散热和可靠装配
应用领域
- 新能源汽车充电
- 服务器电源
- 光伏逆变器
- UPS 与高压 DC/DC 变换器
- 开关电源
选型指南/使用建议
建议在设计中充分评估散热条件与开关工况；采购前请获取并核对最新规格书参数；系统设计中请配置过压、过流及防静电保护措施，确保器件长期稳定运行。
DCC040M65G3 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 60A | |
| Diode Forward Voltage | 3.9V | |
| Diode Max Current | 51A | |
| Diode Reverse Recovery Charge | 99nC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 14ns | |
| Drain-Source On-State Resistance | 52mΩ | |
| Drain-Source Voltage | 650V | |
| Fall Time | 5ns | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0V ~ 4.0V | |
| Gate Total Charge | 39nC | |
| Gate-Drain Charge | 13nC | |
| Gate-Source Charge | 14nC | |
| Gate-Source Leakage Current | 250nA | |
| Gate-Source Voltage | -10V ~ +23V | |
| Input Capacitance | 1301pF | |
| Internal Gate Resistance | 2Ω | |
| Operating Junction Temperature | -55℃ ~ 175℃ | |
| Output Capacitance | 107pF | |
| Package | TO-247-3 | |
| Peak Reverse Recovery Current | 5A | |
| Power Dissipation | 227W | |
| Pulsed Drain Current | 176A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 5pF | |
| Rise Time | 9ns | |
| Storage Temperature | -55℃ ~ 175℃ | |
| Thermal Resistance Junction-Ambient | 40℃/W | |
| Thermal Resistance Junction-Case | 0.66℃/W | |
| Turn-Off Delay Time | 16ns | |
| Turn-Off Switching Energy | 40μJ | |
| Turn-On Delay Time | 7ns | |
| Turn-On Switching Energy | 128μJ | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 100μA |
产品替代
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资料下载
DCC040M65G3 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DCC040M65G3_Datasheet_V1.0 | 1.84 MB | 下载 |
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