三菱电机推出四款新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片 专为高效功率系统设计
为响应全球对节能型功率器件日益增长的需求，三菱电机宣布将从2026年1月21日起，提供四款全新沟槽栅型碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiC-MOSFET）裸芯片样品。这些裸芯片尚未封装，适用于电动汽车主驱动逆变器、车载充电器以及太阳能发电等可再生能源应用。
在1月21日至23日于东京举办的第40届日本Nepcon研发与制造展上，三菱电机将展示这些新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片。同时，该公司计划在北美、欧洲、中国、印度等地区同步推广该系列产品。
随着全球碳中和目标的推进，市场对高性能功率半导体的需求持续上升。高效率的功率器件不仅能够减少整体能耗，还能提升系统运行的稳定性与性能。三菱电机凭借在SiC半导体领域的深厚积累，不断推动技术进步。
自2010年起，三菱电机已开始销售SiC功率模块，广泛应用于空调、工业设备及轨道交通逆变系统中。如今，该公司进一步扩展其产品线，推出四款经过结构优化的沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，与传统平面栅型SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低约50%。通过优化的沟槽栅结构及独有的栅极氧化膜制造工艺，新裸芯片在降低导通电阻的同时，还提升了长期运行的可靠性。
四款新型SiC-MOSFET裸芯片拓展应用边界
- 新推出的四款裸芯片将应用于多种高功率场景，包括电动汽车主驱动逆变器、车载充电系统以及太阳能等可再生能源系统，满足不同功率模块的封装需求。
结构优化带来显著性能提升
- 沟槽栅型SiC-MOSFET结构融合了微型化技术，与传统平面栅设计相比，有效降低了导通电阻。三菱电机采用的倾斜离子注入技术，相较垂直注入方式，进一步减少开关过程中的能量损失。这种优化使得整体功率损耗显著下降，有助于提升功率系统的效率。
专有制造技术保障长期稳定性
- 新裸芯片的制造工艺基于三菱电机超过20年在平面栅型SiC-MOSFET和碳化硅肖特基二极管（SiC-SBD）领域的研发和生产经验，并结合了沟槽栅型SiC-MOSFET的独特工艺技术，如专用栅极氧化膜形成方法。这些技术能够有效抑制因频繁开关带来的导通电阻波动及能量损耗，从而确保功率器件的长期可靠性。
欲了解更多关于三菱电机功率器件的信息，请访问：三菱电机功率器件官网。
1. 沟槽栅型：一种在晶圆表面蚀刻形成沟槽并嵌入栅电极的特殊结构。
2. 主驱逆变器：用于直接驱动电动汽车和混合动力汽车电机的功率变换装置。
3. 车载充电器：电动汽车中将外部交流电源转换为直流电以充电的设备。
4. 三菱电机于2024年11月12日发布相关产品信息，详情请参见：三菱电机官网。
5. 平面栅型：栅电极直接置于晶圆表面上的结构。
6. 损耗对比基于相同电压等级下阈值电压调整后的导通电阻测量。
7. 肖特基二极管：利用半导体与金属界面产生的肖特基势垒工作的二极管。
8. 电气及电子设备中限制某些有害物质使用的法规。