三菱电机推出四款新型沟槽栅结构SiC-MOSFET裸芯片，专为高效功率系统设计
三菱电机近日宣布，将于2026年1月21日开始提供四款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品。这些裸芯片专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器以及太阳能发电等可再生能源系统中的功率器件设计，旨在提升整体系统效率的同时降低能耗。
在即将举行的第40届日本Nepcon研发与制造展上，三菱电机将展示这些新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片。此次展示将覆盖东京、北美、欧洲、中国、印度等多个市场，进一步推动其在高性能功率半导体领域的布局。
全球脱碳趋势下，功率器件市场持续扩张
随着全球对碳中和目标的推动，功率器件的需求正稳步上升。高性能功率半导体在电动汽车及可再生能源系统中的广泛应用，成为推动市场增长的关键驱动力。这类器件不仅提升了系统效率，还对降低整体能耗起到积极作用。
自2010年起，三菱电机已推出多种SiC功率模块，并广泛应用于空调、工业设备及铁路车辆逆变系统中。此次发布的四款新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，延续了这一技术路线，同时在结构设计和制造工艺上进行了进一步优化。
优化沟槽栅结构，实现更低的功耗表现
与传统的平面栅型SiC-MOSFET相比，新型沟槽栅结构有效降低了导通电阻，并显著减少了开关过程中的能量损失。三菱电机采用的倾斜离子注入技术，相较于常规垂直离子注入方法，进一步提升了芯片效率，整体功率损耗降低了约50%。
此外，三菱电机在栅极氧化膜制造方面拥有专有工艺，可有效控制开关过程中的导通电阻变化，从而保障器件在长期运行中的稳定性能。
丰富产品线，满足多样化封装需求
- 四款新型裸芯片适用于多种功率器件封装方案，涵盖电动汽车主驱逆变器、车载充电器以及可再生能源供电系统。
成熟制造工艺支撑长期可靠性
- 基于三菱电机在SiC MOSFET和SiC-SBD领域二十多年的研发与制造经验，结合其专有的栅极氧化膜制造工艺，这些裸芯片在开关损耗和导通电阻方面实现了稳定控制，确保了器件的高可靠性和长寿命。
更多关于三菱电机功率器件的信息，可访问 官方网站。
术语解释
1：沟槽栅结构，指在晶圆表面蚀刻出沟槽，并在其中嵌入栅电极的结构。
2：主驱逆变器，用于将直流电转换为交流电以驱动电动汽车或混合动力汽车电机的装置。
3：车载充电器，安装于电动汽车中，用于将外部交流电源转换为直流电源，为电池充电。
4：2024年11月12日发布的产品信息，可查看：https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2024/1112/
5：平面栅结构，指栅电极直接布置于晶圆表面的结构。
6：功率损耗对比基于相同阈值电压设定条件下的导通电阻测试。
7：肖特基势垒二极管，利用半导体与金属交界面形成的势垒工作，常用于高效整流。