三菱电机推出4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片，面向功率器件市场
三菱电机近日宣布，自1月21日起开始提供4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品。这些裸芯片专为电动汽车主驱逆变器、车载充电器及太阳能发电系统等功率应用设计，旨在满足日益增长的高性能功率器件需求。
这些裸芯片尚未封装，适用于多种功率器件封装形式，在保持原有性能的同时，显著降低了整体功耗。三菱电机计划于1月21日至23日在东京举行的第40届Nepcon研发与制造展上展示这些产品，并计划在北美、欧洲、中国、印度等多个地区进行巡回展出。
全球脱碳目标推动功率器件市场扩张
在全球推动碳中和目标的背景下，功率器件市场正面临快速扩张的趋势。高效能的功率芯片在电动汽车主逆变器和可再生能源系统中发挥着关键作用，它们不仅能够保持系统高稳定性，还能有效降低能耗。
自2010年起，三菱电机已推出SiC功率半导体模块，广泛应用于空调、工业设备及铁路系统等逆变装置中，显著提升了能效表现。为满足市场对高性能功率裸芯片的需求，三菱电机此次推出了4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片。
与现有产品相比，这些新芯片在沟槽栅型结构上实现了优化升级，相较于传统平面栅型SiC-MOSFET，其功率损耗降低了约50%。同时，三菱电机特有的栅极氧化膜制造技术能够有效抑制功率损耗与导通电阻的变化，从而保障器件在长期使用中的可靠性和稳定性。
4款全新裸芯片拓展功率器件应用边界
- 这些新品扩展了三菱电机在SiC-MOSFET裸芯片领域的应用范围，适用于电动汽车主驱逆变器、车载充电器、太阳能发电系统等高要求功率场景。
结构优化助力降低功耗表现
- 沟槽栅型SiC-MOSFET结构结合了在硅基功率半导体制造过程中积累的微型化技术，有效降低了导通电阻。相比传统垂直离子注入工艺，三菱电机采用的倾斜离子注入法进一步降低了芯片的开关损耗。
- 通过结构与工艺的双重优化，功率损耗相较平面栅型产品下降近半，有助于提升整体系统效率。
先进制造工艺保障器件质量
- 该产品基于三菱电机在SiC-MOSFET和SiC-SBD领域超过二十年的技术积累，融合了独特的栅极氧化膜制造工艺。这些技术能够有效抑制因高频开关引起的功率损耗和电阻波动，保障器件在复杂工况下仍具备长期稳定性和可靠性。
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