三菱电机推出四款新型沟槽栅结构SiC-MOSFET裸芯片，助力高能效功率系统发展
三菱电机近日宣布，将于1月21日起向市场提供四款新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品。该系列产品专为电动汽车主驱逆变器、车载充电系统以及太阳能发电等可再生能源领域中的功率模块而设计。
此次发布的SiC-MOSFET裸芯片采用未封装结构，便于集成至各类功率器件中。其优势在于在保持高功率性能的同时，显著降低了整体系统能耗。在1月21日至23日于东京举办的第40届日本Nepcon研发与制造展上，三菱电机将展示这些新型裸芯片，并计划在北美、欧洲、中国、印度等全球主要市场继续推广。
随着全球碳中和目标的推进，对高效、低损耗功率半导体的需求持续增长。高性能SiC器件的应用，使电动汽车和可再生能源系统在维持稳定运行的同时，实现更优的能源效率。
三菱电机自2010年起便开始提供SiC功率模块，广泛应用于空调、工业设备及铁路车辆等逆变系统。基于市场需求的持续增长，公司此次推出四款新型沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片。相比现有产品，其结构优化进一步提升了性能。与传统的平面栅型SiC-MOSFET相比，新产品的功率损耗减少了约50%。同时，通过专有栅极氧化膜制造工艺，有效控制了导通电阻波动，确保器件在长期使用中保持稳定。
四款新裸芯片拓宽功率器件应用边界
- 该系列产品为电动汽车主驱逆变器、车载充电系统及太阳能发电系统等关键应用提供了更灵活的集成方案。
结构优化实现更低功耗
- 沟槽栅型结构结合Si基功率器件微型化制造技术，有效降低导通电阻。相较于传统垂直离子注入方式，三菱电机独有的倾斜离子注入工艺显著降低了开关损耗。这一改进使整体功率损耗降低约50%，从而提升系统能效。
先进制造工艺保障器件可靠性
- 新产品采用三菱电机基于20余年平面栅型SiC-MOSFET和SiC-SBD研发经验所开发的专有制造工艺，包括特有的栅极氧化膜制造技术。这些工艺手段可有效抑制因频繁开关引起的性能波动，从而延长器件使用寿命，确保功率系统长期稳定运行。
如需了解更多关于三菱电机功率器件的信息，请访问：https://www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/powerdevices/
术语说明
- 1. 一种在晶圆表面蚀刻沟槽并嵌入栅电极的特殊结构。
- 2. 用于驱动电动汽车和混合动力车主电机的功率变换设备。
- 3. 在电动汽车或插电式混合动力车辆中，将外部交流电转换为直流电以实现电池充电的装置。
- 4. 2024年11月12日发布：https://www.mitsubishielectric.co.jp/ja/pr/2024/1112/
- 5. 一种将栅电极置于晶圆表面的结构。
- 6. 在阈值电压相同条件下，与同电压等级平面栅型MOSFET比较导通电阻。
- 7. 利用半导体与金属交界面形成的肖特基势垒工作的二极管。
- 8. 对电气及电子设备中有害物质使用的限制标准。