三星HBM4芯片在英伟达测试中表现优异
12月24日，据韩媒Pulse报道，业界消息显示，三星电子的下一代高带宽存储器HBM4在英伟达为其2024年人工智能加速器设计所进行的测试中，取得了最佳成绩。
据多位半导体行业人士透露，英伟达研发团队上周曾前往三星电子总部，就HBM4的系统级封装（SiP）测试进展进行评估。测试结果显示，三星的HBM4在运行速度与能耗效率两个关键性能指标上，领先于其他竞品，表现最为出色。
这一进展提升了市场对三星HBM4顺利通过英伟达质量验证的预期。据知情人士透露，英伟达对三星HBM4的采购需求远超三星先前的内部预测，这可能对三星未来的营收产生积极影响。
业内人士指出，根据平泽P4产线的扩建计划和当前产能评估，三星有望于2024年第一季度签署正式供货协议，并在第二季度启动大规模量产。对于与英伟达测试相关的问题，三星方面未作出官方回应。一名不愿透露姓名的行业分析师表示：“与HBM3E研发阶段相比，三星在HBM4领域的技术成熟度和产品竞争力已明显提升。”
不过，另一家存储大厂SK海力士也在9月底完成了HBM4的量产准备工作，其研发节奏比三星早大约三个月。目前，SK海力士已向英伟达提供付费样片，进入试产阶段。尽管如此，相比HBM3E商业化阶段三星与SK海力士之间长达一年的差距，两家公司在HBM4领域的进度差异已显著缩短。
随着HBM4的大规模量产预计将于2024年第二季度启动，三星在SiP测试中的出色表现，或将使其在后续供货中占据更有利的位置。
系统级封装（SiP）是将多颗芯片集成于单一封装体内的先进封装技术。以HBM4为例，该技术通常将GPU、存储芯片、中介层及电源管理芯片等关键元件整合为一个封装单元，因此，SiP测试成为产品正式投入量产前的关键验证环节。