三大存储芯片厂商策略分化，争夺DRAM市场主导权
面对当前DRAM市场供需失衡、价格持续攀升的局面，三星电子、SK海力士和美光三大厂商分别采取了不同的战略路径：三星通过削减HBM3E产能，转向通用DRAM生产；SK海力士则继续聚焦数据中心和企业级DRAM产品，同时逐步增加通用DRAM供应；美光则全面转向数据中心和企业级市场，甚至决定退出其消费品牌Crucial。
三星减产HBM3E，聚焦高利润通用DRAM
据韩国媒体报道，三星电子正考虑削减HBM3E产品约40%的产能，并将这部分资源重新分配至通用DRAM的生产。此举旨在实现2025年公司整体利润最大化的目标。
一名熟悉三星内部动向的消息人士透露，目前三星正评估将1a DRAM产能中的30%-40%转为1b DRAM产能。若将成熟制程线的产能转换也纳入考量，预计每月可新增约8万片1b DRAM产能。
目前，三星的HBM3和HBM3E产品仍基于1a制程技术，而1b制程则主要用于DDR5、LPDDR5X等通用DRAM产品，部分也用于GDDR7的制造。即将量产的HBM4则将采用1b及1c DRAM制程技术。
尽管三星的HBM3E产品良率有所改善，并进入英伟达的供应链，但其利润率仍较低，预计仅为30%左右。相比之下，基于1b制程的通用DRAM预计利润率将超过60%，远高于HBM3E。
此外，英伟达和AMD已计划于2025年开始将重点转向HBM4，这将进一步削弱对HBM3E的需求。业内预测，2026年12层HBM3E的平均价格可能下降超过30%。
为增强在HBM4领域的竞争力，三星计划提升1c DRAM产能，并计划将1c DRAM的月产能从当前的2万片提升至15万片。不过，近期有传闻称，三星对HBM4的投资态度趋于保守。
除了调整HBM3E产能之外，三星还计划将部分NAND闪存产线转产通用DRAM，以应对持续上涨的价格趋势。
SK海力士扩大1c DRAM产能，兼顾数据中心与通用市场
SK海力士近期宣布将投资目标翻倍，以应对DRAM市场的长期短缺。与三星不同，SK海力士目前仍优先扩大HBM等数据中心级DRAM的产能。
其位于利川和清州的M14与M15X晶圆厂正建设中，用于生产HBM3E核心芯片，预计2025年底实现量产，并有望将1c DRAM月产能从2万片提升至16-19万片。
尽管SK海力士在HBM市场占据主导地位，但其也开始关注通用DRAM的利润率提升趋势。业内人士指出，随着市场需求持续增长，SK海力士或将调整产能分配，逐步增加DDR5、LPDDR5X等通用DRAM的生产。
SK海力士在第三季度财报会议中表示，不会因短期利润波动而立即调整产能结构。然而，随着通用DRAM价格的持续上涨，其策略也在逐步变化。
美光全面转向数据中心，退出消费类业务
2025年12月3日，美光宣布退出其消费类存储品牌Crucial，停止向零售和电商平台供应相关产品。
美光首席商务官Sumit Sadana表示，这一决策是为了更好地服务快速增长的数据中心市场。公司希望通过释放消费类产能，集中资源生产HBM和企业级DRAM及SSD，以满足AI驱动的需求。
然而，美光目前正面临HBM4产品设计调整的挑战，预计难以在2026年获得大量订单。因此，其新增产能将主要用于HBM3E的供应，以巩固对英伟达的出货份额。
美光财报显示，其HBM业务在截至2025年8月的季度中营收接近20亿美元，全年预计达80亿美元。尽管公司正在建设中国台湾A5、美国ID1及日本广岛等新厂，但新产能要到2027年以后才能投产。
据路透社报道，谷歌、亚马逊、微软和Meta等大客户已向美光发出“无限期订单”，无论价格如何，只要能供货，便会全部接收，这一趋势也推动了美光的战略调整。
行业展望：2026年DRAM市场持续紧俏
根据TrendForce预测，2026年全球DRAM供应量将同比增长20%。而韩国金融机构iM Securities则预计，全球DRAM总产量将增长约19%，其中三星预计增长21%，SK海力士预计增长17%。
三大厂商虽扩产策略各异，但目标一致——提升盈利能力。尽管市场供应将增加，但TrendForce预测2026年DRAM需求将同比增长26%，远超供应增速，预计届时DRAM平均价格将同比上涨58%。
随着AI、数据中心和高性能计算需求的持续增长，DRAM市场仍将在2026年保持紧俏态势，厂商间的竞争也将在技术、产能和定价策略上进一步加剧。