英伟达携手SK海力士打造下一代SSD，数据传输性能实现飞跃
12月10日，SK海力士副总裁金天成在公开活动上透露，公司已与英伟达展开合作，共同研发新一代固态硬盘（SSD）。该项目被视为存储领域的重要进展。
此次合作聚焦于基于NAND闪存的下一代SSD开发，项目代号“Storage Next”。双方的目标是实现接近高带宽内存（HBM）级别的性能表现，同时大幅提升数据传输速率，最高可达现有水平的8至10倍。
金天成表示，目前英伟达正在推进初步的概念验证（PoC）测试，而SK海力士则将该项目称为“AI-NP（AI NAND Performance）”。按照计划，一款基于PCIe Gen 6接口、支持约2500万IOPS的存储原型产品将于明年年底面世。未来至2027年底，SK海力士将具备量产支持高达1亿IOPS的SSD的能力。
此外，备受市场期待的HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）芯片的alpha版本预计将于明年1月底推出，而基于该技术的概念验证产品则有望在2027年前后完成发布。