三大DRAM厂商策略各异，争夺存储芯片市场主导权
2025年12月5日，随着全球DRAM市场持续处于供不应求状态，价格稳步攀升，三星电子、SK海力士与美光三家主要供应商纷纷调整战略，以期在竞争激烈的市场中占据更有利的位置。三星电子拟削减HBM3E产能以增加通用DRAM供应；SK海力士则继续加码数据中心级产品，同时考虑扩大通用DRAM生产；美光则选择退出消费级品牌，全面转向数据中心与企业级市场。
三星电子削减HBM3E产能，扩大通用DRAM产出
据韩国DealSite近日报道，为实现2026年利润最大化目标，三星电子正在考虑大幅削减基于10nm级1a制程的第四代HBM3E芯片产能，将其产能转向盈利能力更高的1b制程通用DRAM芯片的生产。
一位熟悉三星内部情况的业内人士透露，公司正讨论将约30%-40%的1a DRAM产能转移至1b DRAM。如果算上从成熟工艺线（如1z）转移的产能，预计每月可新增8万片1b DRAM的生产能力。
目前，三星的HBM3及HBM3E芯片均采用1a制程制造，而1b制程则主要用于DDR5、LPDDR5X等通用DRAM产品，也有少量用于GDDR7。即将量产的HBM4则将依托1c及1b制程。
尽管三星的HBM3E良率已大幅提升，并进入英伟达供应链，但其供应能力仍受限，且营业利润率预计仅为30%左右。英伟达与AMD已计划在2026年逐步转向HBM4，HBM3E需求将趋于下降。业内人士预计，明年HBM3E的年均价格可能下跌30%以上，进一步压缩三星的利润。
与此同时，受AI需求推动，HBM抢占标准DRAM产能，而短期内扩产能力有限，导致基于1b制程的通用DRAM供需失衡，价格上涨显著。预计三星的DDR5等产品利润率将超过60%，明显优于HBM3E。
行业观察人士指出，三星虽然已通过英伟达的HBM3E认证并开始供货，但预计其在2026年英伟达HBM3E供应链中的份额将仅占个位数。HBM3E与通用DRAM的盈利能力差异显著，目前继续生产HBM3E已接近亏损。
尽管削减HBM3E产能释放的1b DRAM产能也可用于HBM4，但三星主要计划通过1c制程来制造HBM4，以在HBM市场中与SK海力士形成竞争。三星计划将月产能2万片的1c DRAM生产线扩产至8万片，并将成熟工艺升级为1c DRAM工艺，预计2026年底前总产能将提升至15万片。不过，近期有关三星对HBM4投资趋于审慎的传闻也逐渐浮现。
此外，三星还计划将平泽与华城园区的部分NAND生产线改造为通用DRAM产线，以更快地响应市场需求。知情人士指出，公司内部已形成强烈共识，希望在2026年取得更佳的外部业绩，目标是实现比SK海力士更高的营业利润。
SK海力士加速1c DRAM扩张，兼顾数据中心与通用市场
韩国媒体报道称，为应对持续走高的DRAM需求，SK海力士计划将DRAM产能投资目标翻倍。
尽管SK海力士原本倾向于将扩产集中于HBM等数据中心级产品，但随着通用DRAM利润率上升，其扩产策略也出现调整迹象。SK海力士在第三季度财报电话会议中表示，不会因为短期利润率波动而轻易调整产能结构。
SK海力士的HBM市场份额占据半壁江山，且2026年的HBM产能已基本售罄。因此，当前的扩产重点仍聚焦于HBM4和HBM3E。SK海力士正在建设的M15X晶圆厂主要生产1b DRAM，用于HBM3E的核心芯片，计划于2025年底投产，初期月产能3.5万片，后期有望提升至5.5万至6万片。
此外，SK海力士还计划将1c DRAM月产能从当前的2万片提升至2026年底的16万至19万片，占其DRAM总产能的三分之一以上。主要生产基地包括利川M14、M16晶圆厂，清州M15X也将部分引入1c DRAM生产线。这些新产能虽然不用于HBM，但将用于GDDR7与SOCAMM2等数据中心级产品。
根据SK海力士的预判，DRAM短缺将持续至2027年底，而新建产线的产能释放要等到2027或2028年，公司对此感到担忧。随着通用DRAM价格持续上涨，其利润率也接近甚至可能超越HBM。这使得SK海力士在扩产计划上面临战略调整的压力。
前SK海力士高管透露，公司HBM营业利润约为70%，而通用DRAM利润率也预计达到类似水平。韩国半导体行业人士指出，SK海力士将在M14晶圆厂新增13万片1c DRAM产能，在M15X投资3万片，在M16投资1万片以上。
美光退出消费品牌，专注数据中心级DRAM与SSD
2025年12月3日，美光科技正式宣布将退出Crucial消费类存储业务，包括从零售商、电商平台及分销渠道下架该品牌产品。
美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“AI驱动的数据中心需求正在带动内存与存储的强劲增长。为了更好地支持战略客户，美光决定退出消费类市场。”
美光希望通过此举将产能重新分配至HBM、企业级DRAM和SSD等利润率更高的产品，以满足AI市场的快速增长需求。
不过，由于美光的HBM4产品无法满足英伟达标准，公司正在重新设计，导致2026年难以在该领域取得突破。因此，2026年新增产能将主要用于HBM3E，以扩大对英伟达的供应份额。
2025年第三季度，美光HBM收入达近20亿美元，全年预计超过80亿美元。虽然美光已启动中国台湾A5工厂与美国ID1晶圆厂建设，但产能要到2027年才能上线。最新宣布的96亿美元日本广岛工厂，也将用于HBM生产，预计2028年投产。
据路透社报道，谷歌、亚马逊、微软和Meta已向美光下达“无限期订单”，表明其对高可靠性的存储需求远超当前供应能力。
市场预测：2026年DRAM供需格局或将持续紧张
据TrendForce预测，2026年全球DRAM供应量将同比增长20%。韩国金融机构iM Securities预计，全球DRAM总产量将同比增长19%，其中三星电子增长21%，SK海力士增长17%。
尽管三家公司都计划扩大产能，但市场研究认为，2026年需求增长率可能超过供应扩张。TrendForce预计，2026年DRAM需求将同比增长26%，而供应仅增长20%，预计平均价格同比上涨58%。
三星、SK海力士与美光虽策略各异，但目标一致，即通过优化产能结构实现更高的盈利水平。随着AI应用的持续扩展，存储芯片市场正迎来新一轮竞争与变革。