韩国在HBM市场占据主导地位 但核心专利布局不足引关注
11月26日，韩国媒体Thelec援引韩国智慧财产振兴院（KIPRO）研究员Kim In-soo的分析指出，尽管韩国存储芯片制造商在HBM（高带宽存储）的制造和堆叠技术方面表现突出，并在全球市场中占据主导份额，但在关键材料与设备方面仍高度依赖海外供应商。此外，韩国企业缺乏HBM制造中至关重要的混合键合核心专利，可能在未来面临潜在的知识产权风险。
据KIPRO的研究显示，目前混合键合技术的主导者包括台积电和美国公司Adeia。Kim In-soo带领的研究团队借助AI工具，对2003年至2022年间在韩国、美国、日本、欧洲及中国公开的超过1万项相关专利进行了评估。结果显示，从专利的技术含量与市场价值来看，Adeia持有的专利最具竞争力。
Adeia掌握从Ziptronix继承的直接键合互连（DBC）和低温直接键合（LDBC）等关键技术专利，并通过旗下品牌Invensas和Tessera构建了完整的混合键合专利体系。
在专利质量方面，K-PEG评级显示，台积电在A3级别以上高品质专利数量中位列第一，三星排名第二，美光与IBM紧随其后。报道同时指出，台积电的SoIC（系统级芯片整合）技术也具备较高的商业价值。
值得注意的是，近年来中国在存储技术领域的专利申请数量显著上升，例如长江存储已掌握如Xtacking等关键技术。这些专利覆盖了韩国、美国、日本、欧洲和中国等多个市场，预示着未来相关企业可能面临跨国专利纠纷。
Kim In-soo认为，尽管韩国在HBM相关专利数量上位居全球第二，但其专利的技术深度和影响力“尚未达到行业平均水平”。韩国企业在核心设备和材料上的对外依赖，可能成为其潜在的供应链风险。当前，相关公司多倾向于通过私下协商达成授权协议，但随着混合键合技术在2026年全面商业化，这种潜在的法律争议可能进一步加剧。
近期的一项重要合作涉及三星电子与中国长江存储。今年2月，三星宣布与长江存储签署协议，授权其开发用于400层以上NAND Flash堆叠的混合键合技术，并计划在第十代（V10）430层NAND产品中采用该技术。
三星选择长江存储作为混合键合技术的授权方，主要因其在该技术领域具备全球领先优势。经过评估，三星认为在下一代V10 NAND产品中，绕开长江存储的专利已经难以实现。