存储芯片市场竞争白热化 三星或将在第四季度重回DRAM市场榜首
据12月8日业内消息人士透露，三星电子有望在2023年第四季度重新夺回全球DRAM（动态随机存取存储器）市场营收冠军的位置，超越其韩国本土竞争对手SK海力士。
行业人士预测，三星在10月至12月期间的营业利润将超过18万亿韩元（约合122亿美元），这一数字远超市场预期。
三星旗下负责DRAM、NAND闪存及系统半导体业务的器件解决方案部门，将成为此次业绩增长的核心动力。该部门预计将在第四季度贡献约15.1万亿韩元的营业利润，环比增长166%，同比增长422%。
这一强劲表现或将助力三星在第四季度全球DRAM厂商营收排名中重返榜首，而SK海力士则可能退居第二。
行业分析师指出，三星近年来在高带宽内存（HBM）领域积极缩小与竞争对手的技术差距。与此同时，随着人工智能基础设施的建设加速，数据中心对传统DRAM产品的需求上升，推高了DRAM价格，进一步助推三星业绩增长。
存储芯片市场竞争持续升温
全球DRAM市场格局的变化反映出存储芯片行业竞争日趋激烈。三星曾连续33年占据全球DRAM市场主导地位，但今年第一季度被SK海力士超越，失去了市场首位。这一转折主要源于三星在HBM技术上的滞后。
SK海力士自2013年起率先研发出HBM芯片，此后持续在该领域占据领先地位。
DRAM作为一种广泛使用的易失性存储器，是各类电子设备的核心运行内存，支持数据的高速随机访问，广泛应用于服务器、智能手机和PC等需要高性能数据处理的设备。
HBM则是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM，被视为人工智能（AI）应用的关键组件。随着AI产业的迅速发展，HBM的需求也在快速增长。
2023年第二、第三季度，三星的DRAM收入仍落后于SK海力士。不过，随着三星加快HBM产能扩张并提升良率，两者之间的差距在第三季度有所缩小。
根据市场研究机构Omdia于上月底发布的数据，受价格上涨推动，全球DRAM市场在第三季度（7-9月）销售额环比增长30%，SK海力士连续三季度位居全球首位。三星电子和美光分列第二和第三。
从市占率来看，第三季度SK海力士在全球DRAM市场的份额为34.1%，较前一季度的39.4%下降了5.3个百分点。三星电子的市占率则升至33.7%，环比增长0.5个百分点。两家公司之间的差距从6.2个百分点缩小至0.4个百分点。