极钼芯联合南京大学再登《Science》：定制装备攻克二维半导体量产难题
2026年1月30日，极钼芯科技携手南京大学，在二维半导体量产技术方面取得关键性突破，相关成果再次登上国际权威期刊《Science》。此次发表不仅延续了双方于三个月前的科研突破，更标志着我国在该领域实现了从单晶材料制备向可规模化生产的跨越，打通了从实验室研究成果向产业化落地的关键路径。
Extremo Oxy-MOCVD 200 ultra
从“实现生长”到“优化生长”：技术维度的战略升级
早在2025年10月，研究团队已攻克衬底工程难题，成功实现6英寸二维单晶材料的普适性制备。此次研究则聚焦于产业化工艺的核心环节——生长动力学控制。极钼芯科技基于南京大学提出的工艺理念，对Oxy-MOCVD设备进行了深度定制开发。该设备采用“氧辅助预反应动力学调控”与“无氢低碳硫源输运”两大系统，从源头重构材料生长环境，从根本上解决晶畴尺寸受限、生长速率偏低及碳污染等问题，推动二维材料从实验室制备迈向规模化生产。
MOCVD生长动力学过程
产业化闭环：从技术突破到生态构建的质变
此次研究成果的价值不仅在于技术层面的突破，更在于与前期成果共同构建了一个完整的、可控的、具备自主知识产权的产业化技术闭环：
- 技术闭环形成： 衬底工程与生长动力学调控相辅相成，构建了驱动二维半导体产业化的“双引擎”，实现从材料衬底到晶体生长的全链条核心工艺整合。
- 装备自主深化： Oxy-MOCVD设备实现了完全国产化，并展现出其在支持国际前沿工艺方面的能力，标志着我国在高端半导体装备领域已从“可用”迈向“引领”的新阶段。
- 应用落地加速： 动力学调控技术显著提升了材料的均匀性、纯度与电学性能，使其能够直接应用于下一代埃米级芯片、柔性显示等高性能场景，有助于大幅缩短从材料研发到芯片制造的产业化周期。
6英寸MoS₂单晶表征
战略宣言：以材料与装备研发引领产业未来
在全球争夺后摩尔时代技术主导权的背景下，极钼芯科技通过此次合作，进一步确立其在二维半导体材料与设备研发领域的引领地位。通过“工艺与设备深度协同”的创新模式，企业展示了中国在前沿科技领域具备完成从基础原理、技术实现到装备定义的全链条自主创新的能力。
首次，中国自主研发的装备制造出世界级材料；第二次，中国的创新定义了世界级工艺与装备。这不仅是技术的演进，更代表了角色与层级的跃升。作为该领域的引领者，极钼芯科技将持续聚焦“十五五”战略布局，深化这一创新体系，推动二维半导体技术从“中国创新”“中国制造”迈向“中国智造”“中国定义”，为全球半导体产业的下一个发展阶段提供核心支撑。
(责任编辑：朱赫)