极钼芯联合南京大学再登《Science》：定制化装备助力突破二维半导体量产难题
2026年1月30日，极钼芯科技携手南京大学，在二维半导体领域取得关键性技术突破，相关成果再次登上国际顶级期刊《Science》。这是继三个月前之后，双方研究成果再度登上该期刊，标志着我国在该领域已实现从单晶制备到可量产化的跨越式发展，打通了从实验室研究向产业应用的关键通道。
从“可实现生长”迈向“可优化生长”：技术路线的战略升级
2025年10月，研究团队成功攻克衬底工程难题，实现了6英寸单晶的普适性制备。此次突破则聚焦于产业化核心——生长动力学的精准控制。基于南京大学提出的工艺理念，极钼芯研发的Extremo Oxy-MOCVD 200 Ultra设备进行了深度定制，采用“氧辅助预反应动力学调控”和“无氢低碳硫源输运”两项核心技术，从源头重构了材料生长环境，系统性解决了晶畴尺寸小、生长速率慢及碳污染等制约量产的难题，推动二维半导体迈向工业化进程。
构建产业化闭环：技术突破向生态构建的跃迁
此次技术突破的意义不仅在于单一成果的取得，更在于与先前的技术进步共同构建了一个完整、可控、自主可控的产业化技术闭环：
- 技术闭环的形成：衬底工程与生长动力学调控相辅相成，共同构建了推动二维半导体产业化的“双引擎”，覆盖了从衬底材料到外延生长的全链条核心工艺。
- 装备自主性进一步强化：Oxy-MOCVD设备实现100%国产化，并在支撑国际前沿工艺创新方面展现出卓越能力，标志着我国在高端半导体装备领域正从“自研可用”迈向“自主定义”的新阶段。
- 产业化进程显著提速：通过动力学调控技术，材料在均匀性、纯度和电学性能方面达到全新高度，能够直接适配下一代亚埃尺度芯片、柔性显示等高要求应用场景，预计将进一步缩短从材料研发到器件制造的转化周期。
战略定位明确：以材料与装备研发为核心，驱动产业变革
在各国竞相抢占后摩尔时代技术高地的背景下，极钼芯科技通过此次与南京大学的合作，进一步巩固了其作为“二维半导体材料与设备研发引领者”的行业地位。公司提出“工艺与设备深度协同”的创新模式，展示了中国企业在前沿科技领域从理论创新、技术实现到装备定义的全链条创新能力。
这是第一次，中国装备成功制造出世界级的材料；这是第二次，中国创新定义出世界级的工艺与设备。这不仅是技术层面的升级，更是角色与层级的跃迁。作为行业引领者，极钼芯将持续聚焦“十五五”战略方向，深化这一创新路径，推动二维半导体实现从“中国创新”“中国制造”向“中国智造”“中国定义”的转变，为全球半导体产业的下一轮技术浪潮注入关键动力。
(责任编辑：朱赫)