极钼芯携手南京大学再登《Science》，二维半导体量产化取得关键进展
2026年1月30日，极钼芯科技联合南京大学在二维半导体量产化领域取得重要突破，相关成果再次发表于《Science》期刊。这标志着我国在该领域实现了从单晶制备到可量产的关键跨越，打通了从实验室研究到工业化生产的核心通道。
Extremo Oxy-MOCVD 200 ultra
从“实现生长”到“优化生长”：关键技术的战略升级
2025年10月，研究团队在衬底工程方面取得突破，成功实现了6英寸单晶的普适性制备。此次进展则聚焦于产业化工艺的核心挑战——生长动力学的精准控制。极钼芯科技基于南京大学提出的工艺理念，对Oxy-MOCVD设备进行了深度定制。该设备融合“氧辅助预反应动力学调控”与“无氢低碳硫源输运”两大系统，从源头上重构了生长环境，从根本上解决了晶畴尺寸小、生长速率低及碳污染等量产难题。
MOCVD生长动力学过程
构建产业化闭环：从技术突破迈向生态体系构建
此次研究成果具有深远意义，与此前的突破共同构建出一套自主可控、完整的产业化技术体系，具体体现在以下几个方面：
- 技术闭环的形成：衬底工程与生长动力学控制形成协同效应，构成推动二维半导体产业化的“双引擎”，覆盖从衬底准备到材料生长的全链条关键技术。
- 装备自主化进程加速：Oxy-MOCVD设备实现100%国产化，并成功支撑国际最前沿的工艺创新，标志着我国高端半导体装备从“可用”走向“可引领”的新阶段。
- 应用落地迈入快车道：通过优化生长动力学，材料在均匀性、纯度及电学性能等方面达到全新高度，可直接应用于下一代埃米级芯片、柔性显示等高性能场景，有望大幅缩短材料到器件的产业化周期。
6英寸MoS₂单晶表征
战略定位：以材料与装备研发驱动产业未来发展
在全球竞逐后摩尔时代技术主导权的背景下，极钼芯科技通过此次合作，进一步巩固其在二维半导体材料与设备研发领域的引领地位。公司以“工艺与设备深度协同”的创新模式，展现出中国企业在前沿科技领域从原理研究、技术实现到装备定义的全流程掌控能力。
首次证明了中国装备能够制备出世界级材料；第二次则展示了中国创新有能力定义世界级工艺与装备。这不仅是一次技术层面的跃进，更是角色与层级的战略性跃升。作为该领域的引领者，极钼芯科技将持续聚焦“十五五”战略方向，深化这一创新模式，推动二维半导体产业从“中国创新”“中国制造”迈向“中国智造”“中国定义”，为全球半导体产业的下一个技术周期提供核心支撑。
（责任编辑：朱赫）