极钼芯联合南大成果再登《Science》：破解二维半导体量产动力学难题
2026年1月30日，极钼芯科技与南京大学再次携手，在《Science》杂志发表研究成果。此次突破聚焦于二维半导体量产过程中的关键生长动力学控制难题，标志着我国从“单晶材料制备”迈向“可规模量产”的技术跨越，打通了从实验室研究向产业应用的核心路径。
Extremo Oxy-MOCVD 200 ultra设备在此次研究中发挥了重要作用。
从“实现生长”到“优化生长”：技术维度的跃迁
早在2025年10月，联合团队已在衬底工程方面取得突破，成功实现6英寸二维半导体单晶的普适性制备。本次研究则聚焦于产业化工艺的核心问题——生长动力学的精确控制。基于南京大学提出的工艺理念，Oxy-MOCVD设备进行了深度定制化设计，融合“氧辅助预反应动力学调控”与“无氢低碳硫源输运”双系统，从根本上重塑生长环境。
这一策略有效解决了晶畴尺寸受限、生长速率偏低以及碳污染严重等长期困扰量产的技术瓶颈，实现了从实验室可控生长到工业级批量制造的实质性突破。
MOCVD生长动力学过程在此次研究中成为关键分析对象。
构建产业化闭环：从技术突破到生态发展的跨越
此次成果与此前突破共同构建了一个完整、可控、自主的产业化技术链条，具备深远的战略意义：
- 技术闭环确立： 衬底工程与生长动力学调控相辅相成，构建出驱动二维半导体产业化的“双引擎”，覆盖从衬底到材料生长的核心全链工艺。
- 装备自主升级： Oxy-MOCVD设备实现了100%国产化，并在支持国际前沿工艺创新方面展现出卓越能力，标志着我国高端半导体装备已从“自主可用”迈向“引领定制”的新阶段。
- 应用落地提速： 动力学调控显著提升了材料的均匀性、纯度和电学性能，可直接适配下一代埃米级芯片、柔性显示等高性能应用场景，有望大幅缩短材料到器件的产业化周期。
6英寸MoS₂单晶的表征数据进一步验证了技术的可靠性。
战略方向明确：以材料与装备创新引领产业变革
在全球竞逐“后摩尔定律”时代技术主导权的背景下，极钼芯科技通过此次合作，再次证明其在二维半导体材料与设备研发领域的引领地位。通过“工艺与装备协同创新”的原创路径，企业已在前沿科技领域实现了从基础原理创新、技术实现到设备定义的全链条主导。
首次，国产装备成功产出世界级材料；第二次，中国创新定义了国际级工艺与装备。这不仅是技术层面的跃升，更是角色层级的转变。
作为行业引领者，极钼芯将持续聚焦“十五五”战略规划，深化该创新范式，推动二维半导体从“中国创造”“中国制造”进一步迈向“中国智造”与“中国标准”，为全球半导体产业下一个发展阶段提供关键支撑。
(责任编辑：朱赫)