极钼芯携手南京大学再登《Science》，攻克二维半导体量产动力学瓶颈
2026年1月30日，极钼芯科技与南京大学再次在《Science》发表研究成果，成功攻克二维半导体材料在大规模制造过程中的关键动力学控制难题。这是继2025年10月之后，双方合作成果再度登上国际顶尖学术期刊，标志着我国在这一前沿领域从“单晶制备”迈向“可量产化”的关键突破，并打通了从实验室到产业应用的核心路径。
技术升级：从“初步实现”到“精细调控”的转变
2025年10月，合作团队首次突破衬底工程难题，实现了6英寸二维半导体单晶材料的普适性制备。而这一次，研究焦点转向了产业化制造中的核心问题——生长动力学的精确控制。基于南京大学提出的工艺理念，极钼芯科技打造的Oxy-MOCVD 200 ultra设备进行了深度定制化设计，整合了“氧辅助预反应动力学调控”和“无氢低碳硫源输运”两大系统，从源头上重构材料生长环境，从根本上解决了晶畴尺寸受限、生长速度缓慢及碳污染等关键瓶颈，推动二维半导体材料向产业转化迈出了坚实一步。
构建产业化闭环：从技术突破到生态系统的跃迁
此次技术突破的深远影响在于，它与此前成果共同构建了完整的产业化技术闭环，为二维半导体规模化制造奠定了坚实基础。
- 工艺与设备协同演进：衬底制备与生长动力学调控的结合，形成了支撑产业发展的“双引擎”，覆盖从材料基底到生长工艺的全链条核心技术。
- 装备自主研发深化：Oxy-MOCVD设备实现100%国产化，并成功应用于国际前沿工艺，标志着我国高端半导体设备从“自主可用”迈向“引领定制”的新阶段。
- 应用场景加速落地：通过优化动力学控制，材料的均匀性、纯度和电学特性显著提升，可无缝对接下一代埃米级芯片、柔性显示等高要求领域，大幅压缩从材料研发到终端产品开发的周期。
前瞻布局：以材料与设备创新引领产业未来
在全球竞逐后摩尔时代技术高地的背景下，极钼芯科技与南京大学的合作不仅验证了其在二维半导体材料与装备研发领域的领先地位，也展现了中国企业在原始创新、技术实现与设备定义等方面的能力。
该合作模式打破了传统“设备跟随工艺”的路径，转而构建“工艺与设备深度协同”的原创范式，体现了中国在关键领域实现全链条自主可控的决心与实力。
从材料制备能力的提升，到工艺标准的定义，再到设备架构的创新，中国正从技术参与者转变为标准制定者。未来，极钼芯科技将继续聚焦“十五五”战略方向，推动二维半导体材料从“中国创新”走向“中国智造”，最终实现“中国定义”，为全球半导体产业的下一轮升级注入中国核心力量。
(责任编辑：朱赫)