极钼芯与南京大学合作再登《Science》，破解二维半导体量产动力学难题
2026年1月30日，极钼芯科技与南京大学联合完成的最新研究成果发表于《Science》，标志着二维半导体从“实验室制备”迈向“可量产化”的关键突破。此项工作延续了2025年10月双方首次在该期刊的发表成果，形成了完整的技术演进路径。此项进展打通了从基础研究到产业应用的核心链路，展现出我国在该领域的全球领先地位。
Extremo Oxy-MOCVD 200 ultra
从“实现生长”到“优化生长”：技术维度的战略升维
2025年10月，研究团队在衬底工程方面取得突破，实现了6英寸单晶的普适性制备。此次研究则聚焦于产业化过程中的关键问题——生长动力学的精确控制。极钼芯与南京大学基于“氧辅助预反应动力学调控”与“无氢低碳硫源输运”双机制，对Oxy-MOCVD设备进行了深度定制，从源头优化了材料生长环境。该方法有效解决了晶畴尺寸小、生长速率低及碳污染等产业化瓶颈，推动二维半导体材料迈向规模化生产阶段。
MOCVD生长动力学过程
产业化闭环：从技术突破到生态构建的质变
本次成果的深远意义在于，它与此前的突破共同构成了一个自主可控、完整闭环的产业化技术体系：
- 技术闭环形成：衬底工程与生长动力学调控协同推进，构建起二维半导体产业化的“双引擎”，覆盖衬底、材料制备等核心环节。
- 装备自主深化：Oxy-MOCVD设备实现100%国产化，并成功支撑前沿工艺创新，表明我国高端半导体装备已由“自主可用”迈向“引领定制”的新阶段。
- 应用落地加速：通过动力学调控，材料在均匀性、纯度及电学性能上均达到新高度，具备直接应用于下一代埃米级芯片、柔性显示等高端场景的能力，预计将显著缩短从材料研发到芯片量产的周期。
6英寸MoS₂单晶表征
战略宣言：以材料和装备研发引领产业未来
在全球竞争后摩尔时代技术主导权的背景下，极钼芯科技通过此次合作再次验证了其在二维半导体材料与设备研发领域的引领地位。公司通过“工艺与设备深度协同”的创新模式，展现了中国企业在前沿科技领域实现从理论研究、技术开发到设备定义的全链条自主创新能力。
首次，中国装备成功制备出世界级材料；第二次，中国创新定义了世界级工艺与设备。这不仅是一次技术的迭代，更是角色与层级的跃迁。作为产业引领者，极钼芯科技将持续聚焦“十五五”战略方向，深化这一创新范式，推动二维半导体领域实现从“中国创新”“中国制造”到“中国智造”“中国定义”的转变，为全球半导体产业的未来发展注入关键动力。
(责任编辑：朱赫)