MTMicrosystems 美泰科技
河北美泰电子科技有限公司  致力于提供MEMS智能传感器系统解决方案,是国家首批专精特新重点“小巨人”企业,中国MEMS十强企业,IC独角兽企业,中国MEMS行业协会副理事长单位,中国传感器与物联网产业联盟副理事长单位,中国汽车芯片产业创新战略联盟理事单位。历经30年技术和产业沉淀,美泰公司形成了MEMS惯性器件与系统、MEMS传感器、射频(RF)MEMS器件三大类优势产品,产品性能达到国际先进水平,广泛应用于汽车智驾,车身域控制,安全气囊,线控底盘,无人机,eVTOL,人形机器人,轨道交通,通信,卫星互联网,航空航天和各类无人系统等。公司已通过 ISO 9001 质量管理体系、IATF 16949 汽车质量管理体系、AS9100D 航空航天质量管理体系、ISO 26262 道路车辆功能安全管理体系等多项体系认证,同时通过了ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系、IEC/ANSI 静电放电认证及 ISO/IEC 17025 实验室认可,以全链条的国际标准体系,为汽车、航空航天等高端领域提供高可靠性、高安全性的产品与服务。MEMS产线(IDM)-6英寸中国电子科技集团第十三研究所全资子公司,2015年中电十三所的“6英寸SOI MEMS标准加工技术及在高性能MEMS 器件中的应用”通过科技部组织的专家验收。6英寸SOI MEMS标准工艺和封装技术用于MEMS陀螺仪、加速度计、振动传感器、碰撞传感器、MEMS光开关、VOA及压力传感器等高性能MEMS器件的批量加工,美泰科技6英寸产线月产能达到1万片。主要产品MEMS传感器MSP1197A空气悬架压力传感器,MSA732悬架加速度传感器,MSP475门压传感器,ABA2000-C安全气囊碰撞-中央加速度传感器,ABA2000-S/D安全气囊碰撞-外围加速度传感器,MSP1178G燃油蒸汽压力传感器,MSP1201G燃油蒸汽压力传感器,MSP1202G燃油蒸汽压力传感器,MSP1109A热管理压力温度复合传感器,MSP1173A热管理压力传感器,MSP1101A机油压力传感器,MSP1105A变速箱压力传感器,MPS02进气温度压力传感器,MSP1162通用压力传感器,MSP1030动态压力传感器,MSP1151压力传感器,MSP1164压力传感器,MSP2103双余度压力传感器,MST1034温度传感器,MSPT1151温度压力复合传感器,MSPT2202双余度温压复合传感器,MSP1143A系列压力传感器,MSP1179A系列压力传感器,MSP1102A系列温压复合传感器,MSP1113A系列气体压力传感器MEMS惯性器件与系统MSI328惯性测量组合(IMU),MSI326惯性测量组合(IMU),MNV400SMEMS惯性导航定位系统,MSI323微惯性测量组合,MSG360J三轴微陀螺,MSI324HC惯性测量组合,MSG310F三轴微陀螺,MSI317微惯性测量组合射频(RF)MEMS器件MEMS 环行器,MEMS 隔离器应用场景汽车智驾,安全气囊,底盘,空调,动力工业eVTOL,无人机,风电,人形机器人,轨道交通,航空,航天,动中通,充电桩
  • MTMicrosystems 美泰科技 MEMS 环行器 半导体封测

    功率容量:10W
    外形尺寸:4mm×4mm×3mm 至 5.5mm×5.5mm×2.5mm
    封装形式:微带/共面波导输出,引线键合使用
    工作温度范围:-55~+85℃
    插入损耗:0.5~0.7dB
    装配方式:金带压接或金丝键合,低温装架工艺(≤150℃)
    贮存温度范围:-55~+125℃
    隔离度:15~20dB
    频率范围:12~40GHz
    驻波比:1.25~1.4
  • MTMicrosystems 美泰科技 MEMS 隔离器 半导体封测

    外形尺寸:5.5mm×6mm×2.5mm
    安装温度:≤150℃
    导电胶要求:低应力导电胶,均匀粘接
    封装形式:圆片封装,TSV(硅通孔)MEMS技术
    工作温度:-55~+85℃
    插入损耗:0.5~0.6dB
    贮存温度:-55~+125℃
    输出形式:50Ω微带 / 共面波导输出
    连接方式:金带压接或金丝键合
    隔离度:20dB
    频率范围:12~40GHz
    驻波比:1.3~1.35
  • MTMicrosystems 美泰科技 INS500 半导体封测

    供电电压:5±0.2 V
    储存温度范围:-40~+95 °C
    功耗:≤2 W
    加速度计全温零偏:S mg
    加速度计带宽:>100 Hz
    加速度计标度因数非线性:<200 ppm
    加速度计标度误差:S1 ‰
    加速度计速率随机游走:<0.01 m/s/√h
    加速度计量程:+16 g
    加速度计零偏不稳定性:≤0.02 mg
    加速度计零偏稳定性:<0.05 mg
    加速度计零偏重复性:<0.08 mg
    尺寸:44.8*38.6*11.0 mm
    工作温度范围:-40~+80 °C
    抗冲击:>2000 g
    振动:>20 gRMS
    接口类型:RS232、RS422
    数据更新率(组合导航模式):200 Hz
    数据更新率(航姿模式):1000 Hz
    横滚/俯仰精度(组合导航模式):<0.05 °
    横滚/俯仰精度(航姿模式动态):<0.3 °
    横滚/俯仰精度(航姿模式静态):<0.02 °
    水平位置精度(RTK):2cm+1ppm
    水平位置精度(单点):1.5 m
    波特率:460800(可配置) bps
    磁力计均方根噪声:12 mG
    磁力计量程:±8 G
    磁力计非线性:0.1 %FS
    航向漂移(无磁辅助):每分钟漂移<0.1 °
    航向精度(组合导航模式):<0.1 °
    航向精度(航姿模式磁辅助):≤0.5 °
    速度精度:0.05 m/s
    重量:<80 g
    陀螺仪全温零偏:<40 °/h
    陀螺仪带宽:>100 Hz
    陀螺仪标度因数非线性:<20 ppm
    陀螺仪标度误差:≤1 ‰
    陀螺仪角度随机游走:<0.1 %√h
    陀螺仪量程:+500(最大可扩展至+4000) °/s
    陀螺仪零偏不稳定性:7 °/h
    陀螺仪零偏稳定性:<2.5 °/h
    陀螺仪零偏重复性:S3.5 °/h
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-12S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.3
    电压驻波比(极限温度):≤1.4
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥17dB
    隔离度(极限温度):≥16dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-12N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.3
    电压驻波比(极限温度):≤1.4
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥17dB
    隔离度(极限温度):≥16dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-13S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.40
    电压驻波比(极限温度):≤1.45
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥15dB
    隔离度(极限温度):≥14dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-14N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.40
    电压驻波比(极限温度):≤1.45
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥15dB
    隔离度(极限温度):≥14dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗(25°C):≤1.3dB
    插入损耗(极限温度):≤1.5dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤2.0
    电压驻波比(极限温度):≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥10dB
    隔离度(极限温度):≥9dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗(25°C):≤1.3dB
    插入损耗(极限温度):≤1.5dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤2.0
    电压驻波比(极限温度):≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥10dB
    隔离度(极限温度):≥9dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-12S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗(25°C):≤1.8dB
    插入损耗(极限温度):≤2.0dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤2.0
    电压驻波比(极限温度):≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥11dB
    隔离度(极限温度):≥9dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-12N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗(25°C):≤1.8dB
    插入损耗(极限温度):≤2.0dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤2.0
    电压驻波比(极限温度):≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥11dB
    隔离度(极限温度):≥9dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-12S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18GHz
    插入损耗(25°C):0.7dB
    插入损耗(极限温度):0.9dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):1.45
    电压驻波比(极限温度):1.55
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):15dB
    隔离度(极限温度):13dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-12N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18GHz
    插入损耗(25°C):≤0.7dB
    插入损耗(极限温度):≤0.9dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.45
    电压驻波比(极限温度):≤1.55
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥15dB
    隔离度(极限温度):≥13dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-13S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18GHz
    插入损耗(25°C):0.7dB
    插入损耗(极限温度):0.9dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):1.45
    电压驻波比(极限温度):1.55
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):15dB
    隔离度(极限温度):13dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-13N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18 GHz
    插入损耗:0.7~0.9 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.45~1.55
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:13~15 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR10/18-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:10~18GHz
    插入损耗(25°C):0.60dB
    插入损耗(极限温度):0.75dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):1.45
    电压驻波比(极限温度):1.50
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):16dB
    隔离度(极限温度):15dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR10/18-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:10~18GHz
    插入损耗(25°C):0.60dB
    插入损耗(极限温度):0.75dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):1.45
    电压驻波比(极限温度):1.50
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):16dB
    隔离度(极限温度):15dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR14/18-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:14~18GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥18dB
    隔离度(极限温度):≥17dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR14/18-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:14~18GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥18dB
    隔离度(极限温度):≥17dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR15/17-12S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:15~17GHz
    插入损耗(25°C):0.4dB
    插入损耗(极限温度):0.5dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):1.25
    电压驻波比(极限温度):1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):20dB
    隔离度(极限温度):19dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR15/17-14N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:15~17GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥19dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR15/17-14S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:15~17GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥19dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR15/17-12N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:15~17GHz
    插入损耗(25°C):≤0.4dB
    插入损耗(极限温度):≤0.5dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥19dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR24/27-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    插入损耗(25°C):≤0.6dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.3:1
    电压驻波比(极限温度):≤1.4:1
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥16dB
    隔离度(极限温度):≥15dB
    频率范围:24~27GHz
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR24/27-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:24~27GHz
    插入损耗(25°C):≤0.6dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.3:1
    电压驻波比(极限温度):≤1.4:1
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥16dB
    隔离度(极限温度):≥15dB
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