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MTMicrosystems 美泰科技
河北美泰电子科技有限公司  致力于提供MEMS智能传感器系统解决方案，是国家首批专精特新重点“小巨人”企业，中国MEMS十强企业，IC独角兽企业，中国MEMS行业协会副理事长单位，中国传感器与物联网产业联盟副理事长单位，中国汽车芯片产业创新战略联盟理事单位。历经30年技术和产业沉淀，美泰公司形成了MEMS惯性器件与系统、MEMS传感器、射频（RF）MEMS器件三大类优势产品，产品性能达到国际先进水平，广泛应用于汽车智驾，车身域控制，安全气囊，线控底盘，无人机，eVTOL，人形机器人，轨道交通，通信，卫星互联网，航空航天和各类无人系统等。公司已通过 ISO 9001 质量管理体系、IATF 16949 汽车质量管理体系、AS9100D 航空航天质量管理体系、ISO 26262 道路车辆功能安全管理体系等多项体系认证，同时通过了ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系、IEC/ANSI 静电放电认证及 ISO/IEC 17025 实验室认可，以全链条的国际标准体系，为汽车、航空航天等高端领域提供高可靠性、高安全性的产品与服务。主要产品MEMS传感器MSP1197A空气悬架压力传感器，MSA732悬架加速度传感器，MSP475门压传感器，ABA2000-C安全气囊碰撞-中央加速度传感器，ABA2000-S/D安全气囊碰撞-外围加速度传感器，MSP1178G燃油蒸汽压力传感器，MSP1201G燃油蒸汽压力传感器，MSP1202G燃油蒸汽压力传感器，MSP1109A热管理压力温度复合传感器，MSP1173A热管理压力传感器，MSP1101A机油压力传感器，MSP1105A变速箱压力传感器，MPS02进气温度压力传感器，MSP1162通用压力传感器，MSP1030动态压力传感器，MSP1151压力传感器，MSP1164压力传感器，MSP2103双余度压力传感器，MST1034温度传感器，MSPT1151温度压力复合传感器，MSPT2202双余度温压复合传感器，MSP1143A系列压力传感器，MSP1179A系列压力传感器，MSP1102A系列温压复合传感器，MSP1113A系列气体压力传感器MEMS惯性器件与系统MSI328惯性测量组合（IMU），MSI326惯性测量组合（IMU），MNV400SMEMS惯性导航定位系统，MSI323微惯性测量组合，MSG360J三轴微陀螺，MSI324HC惯性测量组合，MSG310F三轴微陀螺，MSI371微惯性测量组合射频(RF)MEMS器件MEMS 环行器，MEMS 隔离器应用场景汽车智驾，安全气囊，底盘，空调，动力工业eVTOL，无人机，风电，人形机器人，轨道交通，航空，航天，动中通，充电桩
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  • MTMicrosystems 美泰科技 INS500 半导体封测

    Baud Rate:460800(可配置) bps
    Input Power:≤2 W
    Operating Temperature:-40~+80 °C
    Size:44.8*38.6*11.0 mm
    Weight:<80 g
    储存温度范围:-40~+95 °C
    加速度计全温零偏:S mg
    加速度计带宽:>100 Hz
    加速度计标度因数非线性:<200 ppm
    加速度计标度误差:S1 ‰
    加速度计速率随机游走:<0.01 m/s/√h
    加速度计量程:+16 g
    加速度计零偏不稳定性:≤0.02 mg
    加速度计零偏稳定性:<0.05 mg
    加速度计零偏重复性:<0.08 mg
    抗冲击:>2000 g
    振动:>20 gRMS
    数据更新率（组合导航模式）:200 Hz
    数据更新率（航姿模式）:1000 Hz
    横滚/俯仰精度（组合导航模式）:<0.05 °
    横滚/俯仰精度（航姿模式动态）:<0.3 °
    横滚/俯仰精度（航姿模式静态）:<0.02 °
    水平位置精度（RTK）:2cm+1ppm
    水平位置精度（单点）:1.5 m
    磁力计均方根噪声:12 mG
    磁力计量程:±8 G
    磁力计非线性:0.1 %FS
    航向漂移（无磁辅助）:每分钟漂移<0.1 °
    航向精度（组合导航模式）:<0.1 °
    航向精度（航姿模式磁辅助）:≤0.5 °
    速度精度:0.05 m/s
    陀螺仪全温零偏:<40 °/h
    陀螺仪带宽:>100 Hz
    陀螺仪标度因数非线性:<20 ppm
    陀螺仪标度误差:≤1 ‰
    陀螺仪角度随机游走:<0.1 %√h
    陀螺仪量程:+500(最大可扩展至+4000) °/s
    陀螺仪零偏不稳定性:7 °/h
    陀螺仪零偏稳定性:<2.5 °/h
    陀螺仪零偏重复性:S3.5 °/h

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-14S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.25
    电压驻波比（极限温度）:≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥20dB
    隔离度（极限温度）:≥18dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-14N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.25
    电压驻波比（极限温度）:≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥20dB
    隔离度（极限温度）:≥18dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-12S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.25
    电压驻波比（极限温度）:≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥20dB
    隔离度（极限温度）:≥18dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-12N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.25
    电压驻波比（极限温度）:≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥20dB
    隔离度（极限温度）:≥18dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS19/24-12 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:19~24 GHz
    插入损耗:0.60~0.75 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.3~1.4
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~15 dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS22/24-12 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:22~24 GHz
    插入损耗:0.6~0.7 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.30~1.45
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:17~18 dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS30/32-11S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C~85°C
    工作频率范围:30~32 GHz
    插入损耗:0.5~0.6 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:16~18 dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS30/32-11N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:30~32 GHz
    插入损耗:0.5~0.6 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:16~18 dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS32/38-11S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:32~38 GHz
    插入损耗:0.7~0.9 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.4~1.5
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~15 dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-12S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.6dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.3
    电压驻波比（极限温度）:≤1.4
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥17dB
    隔离度（极限温度）:≥16dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-12N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.6dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.3
    电压驻波比（极限温度）:≤1.4
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥17dB
    隔离度（极限温度）:≥16dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-13S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.40
    电压驻波比（极限温度）:≤1.45
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥15dB
    隔离度（极限温度）:≥14dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-14N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.40
    电压驻波比（极限温度）:≤1.45
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥15dB
    隔离度（极限温度）:≥14dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-11S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗（25°C）:≤1.3dB
    插入损耗（极限温度）:≤1.5dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤2.0
    电压驻波比（极限温度）:≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥10dB
    隔离度（极限温度）:≥9dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-11N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗（25°C）:≤1.3dB
    插入损耗（极限温度）:≤1.5dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤2.0
    电压驻波比（极限温度）:≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥10dB
    隔离度（极限温度）:≥9dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-12S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗（25°C）:≤1.8dB
    插入损耗（极限温度）:≤2.0dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤2.0
    电压驻波比（极限温度）:≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥11dB
    隔离度（极限温度）:≥9dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-12N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:6~18GHz
    插入损耗（25°C）:≤1.8dB
    插入损耗（极限温度）:≤2.0dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤2.0
    电压驻波比（极限温度）:≤2.2
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥11dB
    隔离度（极限温度）:≥9dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-12S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18GHz
    插入损耗（25°C）:0.7dB
    插入损耗（极限温度）:0.9dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:1.45
    电压驻波比（极限温度）:1.55
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:15dB
    隔离度（极限温度）:13dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-12N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.7dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.9dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.45
    电压驻波比（极限温度）:≤1.55
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥15dB
    隔离度（极限温度）:≥13dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-13S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18GHz
    插入损耗（25°C）:0.7dB
    插入损耗（极限温度）:0.9dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:1.45
    电压驻波比（极限温度）:1.55
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:15dB
    隔离度（极限温度）:13dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/18-13N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~18 GHz
    插入损耗:0.7~0.9 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.45~1.55
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:13~15 dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR10/18-11S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:10~18GHz
    插入损耗（25°C）:0.60dB
    插入损耗（极限温度）:0.75dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:1.45
    电压驻波比（极限温度）:1.50
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:16dB
    隔离度（极限温度）:15dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR10/18-11N 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:10~18GHz
    插入损耗（25°C）:0.60dB
    插入损耗（极限温度）:0.75dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:1.45
    电压驻波比（极限温度）:1.50
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:16dB
    隔离度（极限温度）:15dB

  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR14/18-11S 半导体封测

    Operating Temperature:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:14~18GHz
    插入损耗（25°C）:≤0.5dB
    插入损耗（极限温度）:≤0.6dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比（25°C）:≤1.25
    电压驻波比（极限温度）:≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度（25°C）:≥18dB
    隔离度（极限温度）:≥17dB
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