MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-12N MEMS 环行器

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2026-06-09 21:00:03
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产品概述

SiDCR6/18-12N MEMS环行器是MTMicrosystems美泰科技推出的一款高性能微波无源器件,采用MEMS工艺制造,具有高功率容量、超小体积和优异的电气性能。该环行器工作频率范围为6~18GHz,适用于雷达、航空航天和微波通信等高端应用场景。

核心特点/优势

  • 高功率容量,适用于高功率微波系统
  • 工作频率范围宽,覆盖6~18GHz
  • 插入损耗低,典型值≤1.8dB(25°C)
  • 高隔离度,典型值≥11dB(25°C)
  • 电压驻波比低,典型值≤2.0(25°C)
  • 超小体积,便于集成
  • MEMS工艺制造,精度高,一致性好
  • 支持按需定制,满足多样化需求

应用领域

  • 雷达系统
  • 航空航天通信
  • 微波通信设备

选型指南/使用建议

该环行器适用于需要高隔离度和低插入损耗的微波系统。建议在-55°C至85°C的温度范围内使用,输入功率不超过-10dBm。产品支持按需定制,可根据客户具体需求进行加工。安装时需注意引线键合区P1、P2、P3的连接顺序,传输方向为逆时针(P3→P2→P1)。

SiDCR6/18-12N MEMS 环行器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
更多规格
工作温度范围 -55°C ~ 85°C
工作频率范围 6~18GHz
插入损耗(25°C) ≤1.8dB
插入损耗(极限温度) ≤2.0dB
特征阻抗 50Ω
电压驻波比(25°C) ≤2.0
电压驻波比(极限温度) ≤2.2
输入功率 -10dBm
隔离度(25°C) ≥11dB
隔离度(极限温度) ≥9dB

资料下载

SiDCR6/18-12N MEMS 环行器资源附件
文件名称 大小 操作
SiDCR618 12N 2.16 MB
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