产品概述
MTMicrosystems 美泰科技推出的 MEMS 环行器是全球首款采用高精度微纳立体加工、图像封装、TSV（硅通孔）MEMS 技术制造的新一代环形器。产品频率覆盖范围高达 40GHz，具备高功率容量、超小损耗、全屏蔽、抗干扰等卓越微波性能，适用于雷达、航天航空和微波通信等高端领域。
核心特点/优势
- 采用 MEMS 工艺，精度高，一致性好
- 频率覆盖范围广，最高可达 40GHz
- 插入损耗低至 0.5dB，隔离度高达 20dB
- 高功率容量，支持 10W 功率
- 超小体积，便于集成
- 全屏蔽结构，抗干扰能力强
- 支持定制化设计，满足不同应用场景需求
应用领域
- 雷达系统
- 航天航空通信
- 微波通信设备
选型指南/使用建议
1. 使用宽度 ≤150μm 金带压接，或 25μm～50μm 金丝键合连接，键合引线数量不少于 2 根，连线尽量短。
2. 采用低温装架工艺（不超过 150℃）安装，芯片下表面使用适量低应力导电胶粘接，确保导电胶均匀，以提供良好接地。
3. 外形结构以产品实际为准，可定制。
4. 产品型号命名方式为 SiCRxxRxx/xxRxx，其中 xxRxx 表示通带频率范围。
| 序号 | 型号 | 通带频率(GHz) | 插入损耗(dB) | 隔离(dB) | 驻波 | 功率(w) | 外形 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | SiCR14R5/17 | 14.5-17 | 0.5 | 20 | 1.3 | 10 | 3 |
| 2 | SiCR19R5/22 | 19.5-22 | 0.6 | 20 | 1.3 | 10 | 3 |
| 3 | SiCR25/28 | 25-28 | 0.5 | 20 | 1.3 | 10 | 1 |
| 4 | SiCR25/31 | 25-31 | 0.6 | 15 | 1.35 | 10 | 1 |
| 5 | SiCR27/29 | 27-29 | 0.5 | 20 | 1.3 | 10 | 1 |
| 6 | SiCR31/33 | 31-33 | 0.5 | 20 | 1.25 | 10 | 1 |
| 7 | SiCR32/34 | 32-34 | 0.5 | 20 | 1.25 | 10 | 1 |
| 8 | SiCR32/35 | 32-35 | 0.6 | 18 | 1.3 | 10 | 2 |
| 9 | SiCR33/34R5 | 33-34.5 | 0.5 | 20 | 1.3 | 10 | 2 |
| 10 | SiCR32/36 | 32-36 | 0.5 | 18 | 1.3 | 10 | 1 |
| 11 | SiCR33/36 | 33-36 | 0.6 | 18 | 1.3 | 10 | 2 |
| 12 | SiCR34/36 | 34-36 | 0.5 | 20 | 1.25 | 10 | 1 |
| 13 | SiCR33/37 | 33-37 | 0.5 | 18 | 1.3 | 10 | 1 |
| 14 | SiCR32/38 | 32-38 | 0.7 | 15 | 1.4 | 10 | 1 |
MEMS 环行器 半导体封测选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 特 性 | ||
| 频率范围 | 12～40GHz | |
| 物 理 | ||
| 设备尺寸（长×宽×高） | 4mm×4mm×3mm 至 5.5mm×5.5mm×2.5mm | |
| 更多规格 | ||
| 工作温度 | -55～+85℃ | |
| 封装形式 | 微带/共面波导输出，引线键合使用 | |
| 功率容量 | 10W | |
| 插入损耗 | 0.5～0.7dB | |
| 装配方式 | 金带压接或金丝键合，低温装架工艺（≤150℃） | |
| 贮存温度范围 | -55～+125℃ | |
| 隔离度 | 15～20dB | |
| 驻波比 | 1.25～1.4 |
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