产品概述
SiDCR8/12-12N MEMS环行器是MTMicrosystems美泰科技推出的一款高性能微波器件，采用MEMS工艺制造，适用于8~12GHz频段。该环行器具有高功率容量、超小体积和优异的电气性能，广泛应用于雷达、航空航天和微波通信系统中。
核心特点/优势
- 高功率容量，适用于高功率微波系统
- 工作频率范围8~12GHz，覆盖X波段
- 插入损耗低至0.5dB（25°C），系统性能更优
- 隔离度高达17dB（25°C），信号干扰小
- 电压驻波比≤1.3（25°C），匹配性能优异
- 超小体积，便于集成
- 支持按需定制，满足多样化应用需求
- MEMS工艺制造，精度高、一致性好
应用领域
- 雷达系统
- 航空航天通信
- 微波通信设备
选型指南/使用建议
建议在-55°C至85°C的温度范围内使用，输入功率不超过-10dBm。该环行器采用标准50Ω阻抗设计，适用于高频微波系统。P1、P2、P3为引线键合区，传输方向为逆时针（P3→P2→P1）。具体封装尺寸可参考产品尺寸表。
| 尺寸符号 | 最小 | 公称 | 最大 |
|---|---|---|---|
| A | - | - | 2.60 |
| A1 | - | 0.60 | - |
| D | 5.95 | 6.00 | 6.05 |
| E | 5.95 | 6.00 | 6.05 |
| e | - | 3.60 | - |
| Z | - | 3.00 | - |
| Z1 | - | 1.20 | - |
SiDCR8/12-12N 半导体封测选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Operating Temperature | -55°C ~ 85°C | |
| 工作频率范围 | 8~12GHz | |
| 插入损耗（25°C） | ≤0.5dB | |
| 插入损耗（极限温度） | ≤0.6dB | |
| 特性阻抗 | 50Ω | |
| 电压驻波比（25°C） | ≤1.3 | |
| 电压驻波比（极限温度） | ≤1.4 | |
| 输入功率 | -10dBm | |
| 隔离度（25°C） | ≥17dB | |
| 隔离度（极限温度） | ≥16dB |
资料下载
SiDCR8/12-12N 半导体封测资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| SiDCR812 12N | 2.15 MB | 下载 |
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