MTMicrosystems 美泰科技
河北美泰电子科技有限公司  致力于提供MEMS智能传感器系统解决方案,是国家首批专精特新重点“小巨人”企业,中国MEMS十强企业,IC独角兽企业,中国MEMS行业协会副理事长单位,中国传感器与物联网产业联盟副理事长单位,中国汽车芯片产业创新战略联盟理事单位。历经30年技术和产业沉淀,美泰公司形成了MEMS惯性器件与系统、MEMS传感器、射频(RF)MEMS器件三大类优势产品,产品性能达到国际先进水平,广泛应用于汽车智驾,车身域控制,安全气囊,线控底盘,无人机,eVTOL,人形机器人,轨道交通,通信,卫星互联网,航空航天和各类无人系统等。公司已通过 ISO 9001 质量管理体系、IATF 16949 汽车质量管理体系、AS9100D 航空航天质量管理体系、ISO 26262 道路车辆功能安全管理体系等多项体系认证,同时通过了ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系、IEC/ANSI 静电放电认证及 ISO/IEC 17025 实验室认可,以全链条的国际标准体系,为汽车、航空航天等高端领域提供高可靠性、高安全性的产品与服务。MEMS产线(IDM)-6英寸中国电子科技集团第十三研究所全资子公司,2015年中电十三所的“6英寸SOI MEMS标准加工技术及在高性能MEMS 器件中的应用”通过科技部组织的专家验收。6英寸SOI MEMS标准工艺和封装技术用于MEMS陀螺仪、加速度计、振动传感器、碰撞传感器、MEMS光开关、VOA及压力传感器等高性能MEMS器件的批量加工,美泰科技6英寸产线月产能达到1万片。主要产品MEMS传感器MSP1197A空气悬架压力传感器,MSA732悬架加速度传感器,MSP475门压传感器,ABA2000-C安全气囊碰撞-中央加速度传感器,ABA2000-S/D安全气囊碰撞-外围加速度传感器,MSP1178G燃油蒸汽压力传感器,MSP1201G燃油蒸汽压力传感器,MSP1202G燃油蒸汽压力传感器,MSP1109A热管理压力温度复合传感器,MSP1173A热管理压力传感器,MSP1101A机油压力传感器,MSP1105A变速箱压力传感器,MPS02进气温度压力传感器,MSP1162通用压力传感器,MSP1030动态压力传感器,MSP1151压力传感器,MSP1164压力传感器,MSP2103双余度压力传感器,MST1034温度传感器,MSPT1151温度压力复合传感器,MSPT2202双余度温压复合传感器,MSP1143A系列压力传感器,MSP1179A系列压力传感器,MSP1102A系列温压复合传感器,MSP1113A系列气体压力传感器MEMS惯性器件与系统MSI328惯性测量组合(IMU),MSI326惯性测量组合(IMU),MNV400SMEMS惯性导航定位系统,MSI323微惯性测量组合,MSG360J三轴微陀螺,MSI324HC惯性测量组合,MSG310F三轴微陀螺,MSI317微惯性测量组合射频(RF)MEMS器件MEMS 环行器,MEMS 隔离器应用场景汽车智驾,安全气囊,底盘,空调,动力工业eVTOL,无人机,风电,人形机器人,轨道交通,航空,航天,动中通,充电桩
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR32/38-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:32~38GHz
    插入损耗(25°C):≤0.7dB
    插入损耗(极限温度):≤0.9dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.4
    电压驻波比(极限温度):≤1.5
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥15dB
    隔离度(极限温度):≥14dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR32/38-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:32~38GHz
    插入损耗(25°C):0.7dB
    插入损耗(极限温度):0.9dB
    特性阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):1.4
    电压驻波比(极限温度):1.5
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):15dB
    隔离度(极限温度):14dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR32/38-12S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:32~38GHz
    插入损耗(25°C):≤0.7dB
    插入损耗(极限温度):≤0.9dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.4
    电压驻波比(极限温度):≤1.5
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥15dB
    隔离度(极限温度):≥14dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR32/38-12N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:32~38GHz
    插入损耗(25°C):≤0.7dB
    插入损耗(极限温度):≤0.9dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.4
    电压驻波比(极限温度):≤1.5
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥15dB
    隔离度(极限温度):≥14dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-14S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥18dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-14N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥18dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥18dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥18dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-12S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥18dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR34/36-12N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:34~36GHz
    插入损耗(25°C):≤0.5dB
    插入损耗(极限温度):≤0.7dB
    特征阻抗:50Ω
    电压驻波比(25°C):≤1.25
    电压驻波比(极限温度):≤1.35
    输入功率:-10dBm
    隔离度(25°C):≥20dB
    隔离度(极限温度):≥18dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS8/12-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12 GHz
    插入损耗:0.55~0.65 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.3~1.4
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:16~17 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS8/12-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12 GHz
    插入损耗:0.55~0.65 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.3~1.4
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:16~17 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS8/12-12S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12 GHz
    插入损耗:0.55~0.65 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.35~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:15~16 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS8/12-12N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:8~12 GHz
    插入损耗:0.55~0.65 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.35~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:15~16 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS10R5/14-12 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:10.5~14 GHz
    插入损耗:0.6~0.7 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~15 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 ilS12/18R5-12 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:12~18.5 GHz
    插入损耗:0.6~0.7 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~15 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS17/22-12 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:17~22 GHz
    插入损耗:0.60~0.75 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~15 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS19/24-12 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:19~24 GHz
    插入损耗:0.60~0.75 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.3~1.4
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~15 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS22/24-12 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:22~24 GHz
    插入损耗:0.6~0.7 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.30~1.45
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:17~18 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS24/27-12 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:24~27 GHz
    插入损耗:0.6~0.8 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:15~16 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS27/31-12 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:27~31 GHz
    插入损耗:0.7~0.8 dB
    电压驻波比:1.3~1.4
    输入功率:-10 dBm
    输入输出阻抗:50 Ω
    隔离度:15~16 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS30/32-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C~85°C
    工作频率范围:30~32 GHz
    插入损耗:0.5~0.6 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:16~18 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS30/32-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:30~32 GHz
    插入损耗:0.5~0.6 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.25~1.40
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:16~18 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS32/38-11S 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:32~38 GHz
    插入损耗:0.7~0.9 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.4~1.5
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~15 dB
  • MTMicrosystems 美泰科技 SilS32/38-11N 半导体封测

    工作温度范围:-55°C ~ 85°C
    工作频率范围:32~38 GHz
    插入损耗:0.7~0.9 dB
    特性阻抗:50 Ω
    电压驻波比:1.35~1.45
    输入功率:-10 dBm
    隔离度:14~16 dB
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