产品概述
SiDCR8/18-12N MEMS环行器是MTMicrosystems美泰科技推出的一款高性能微波器件，采用MEMS工艺制造，具有高功率容量、超小体积和优异的电气性能。该环行器工作频率范围为8~18GHz，适用于雷达、航空航天和微波通信等高端应用领域。
核心特点/优势
- 高功率容量，适用于高功率微波系统
- 工作频率范围宽，覆盖8~18GHz
- 插入损耗低，典型值≤0.7dB（25°C）
- 高隔离度，典型值≥15dB（25°C）
- 电压驻波比低，典型值≤1.45（25°C）
- 体积超小，适合高密度集成应用
- 可按客户要求进行定制化加工
- MEMS工艺制造，精度高，一致性好
应用领域
- 雷达系统
- 航空航天通信
- 微波通信设备
选型指南/使用建议
建议在-55°C至85°C的温度范围内使用，输入功率不超过-10dBm。该环行器采用标准50Ω阻抗设计，适用于高稳定性、高可靠性的微波系统。P1、P2、P3为引线键合区，传输方向为逆时针（P3→P2→P1）。可根据具体应用需求进行定制化封装。
SiDCR8/18-12N MEMS 环行器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 工作温度范围 | -55°C ~ 85°C | |
| 工作频率范围 | 8~18GHz | |
| 插入损耗（25°C） | ≤0.7dB | |
| 插入损耗（极限温度） | ≤0.9dB | |
| 特征阻抗 | 50Ω | |
| 电压驻波比（25°C） | ≤1.45 | |
| 电压驻波比（极限温度） | ≤1.55 | |
| 输入功率 | -10dBm | |
| 隔离度（25°C） | ≥15dB | |
| 隔离度（极限温度） | ≥13dB |
资料下载
SiDCR8/18-12N MEMS 环行器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| SiDCR818 12N | 2.15 MB | 下载 |
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