MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR8/12-14N MEMS 环行器

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2026-08-03 10:52:33
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  • SiDCR8/12-14N

  • 半导体封测

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产品概述

SiDCR8/12-14N 是 MTTech(美泰科技)推出的一款基于 MEMS 工艺的环行器,适用于 8~12GHz 频率范围。该产品具有高功率容量、超小体积和优异的性能稳定性,广泛应用于雷达、航空航天和微波通信系统中。

核心特点/优势

  • 高功率容量,适用于多种高功率应用场景
  • 工作频率范围为 8~12GHz,覆盖主流微波通信频段
  • 插入损耗低至 0.5dB(25°C),性能优异
  • 隔离度高达 15dB(25°C),有效抑制信号干扰
  • 电压驻波比(VSWR)≤1.45,匹配性能稳定
  • 采用 MEMS 工艺,精度高、一致性好
  • 体积超小,便于集成在紧凑型系统中
  • 支持按需定制,满足不同客户设计需求

应用领域

  • 雷达系统
  • 航空航天通信设备
  • 微波通信系统

选型指南/使用建议

建议在 -55°C 至 85°C 的工作温度范围内使用,输入功率建议不超过 -10dBm。产品采用标准 50Ω 阻抗设计,适用于高频微波系统集成。接口定义中 P1、P2、P3 为引线键合区,传输方向为逆时针(P1→P2→P3)。具体尺寸可参考产品尺寸表,便于 PCB 或封装设计。

尺寸符号 最小 (mm) 公称 (mm) 最大 (mm)
A - - 2.70
A1 - 0.70 -
D 5.90 - 6.00
E 5.90 - 6.00
E1 - 4.50 -
E2 - 4.50 -
E3 - 3.00 -

SiDCR8/12-14N 半导体封测选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
更多规格
Operating Temperature -55°C ~ 85°C
工作频率范围 8~12GHz
插入损耗(25°C) ≤0.5dB
插入损耗(极限温度) ≤0.6dB
特征阻抗 50Ω
电压驻波比(25°C) ≤1.40
电压驻波比(极限温度) ≤1.45
输入功率 -10dBm
隔离度(25°C) ≥15dB
隔离度(极限温度) ≥14dB

资料下载

SiDCR8/12-14N 半导体封测资源附件
文件名称 大小 操作
SiDCR812- 14N 2.16 MB
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