MTMicrosystems 美泰科技 SiDCR6/18-11N MEMS 环行器

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2026-08-03 10:52:33
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  • SiDCR6/18-11N

  • 半导体封测

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产品概述

SiDCR6/18-11N 是 MTTech(美泰科技)推出的一款基于 MEMS 工艺的环行器,适用于 6~18GHz 频率范围。该产品具有高功率容量、超小体积和高精度等优势,广泛应用于雷达、航空航天和微波通信等领域。

核心特点/优势

  • 高功率容量,适用于多种高功率应用场景
  • 工作频率范围宽,覆盖 6~18GHz
  • 体积超小,便于集成在紧凑型系统中
  • 插入损耗低,典型值 ≤1.3dB(25°C)
  • 隔离度高,典型值 ≥10dB(25°C)
  • 电压驻波比低,典型值 ≤2.0(25°C)
  • MEMS 工艺制造,精度高、一致性好
  • 支持按客户要求定制加工

应用领域

  • 雷达系统
  • 航空航天通信设备
  • 微波通信系统

选型指南/使用建议

该环行器适用于需要高隔离度和低插入损耗的射频系统。建议在 -55°C ~ 85°C 的工作温度范围内使用,输入功率不超过 -10dBm。产品支持定制化加工,可根据客户具体需求进行尺寸和接口调整。

SiDCR6/18-11N 半导体封测选型参数

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更多规格
Operating Temperature -55°C ~ 85°C
工作频率范围 6~18GHz
插入损耗(25°C) ≤1.3dB
插入损耗(极限温度) ≤1.5dB
特征阻抗 50Ω
电压驻波比(25°C) ≤2.0
电压驻波比(极限温度) ≤2.2
输入功率 -10dBm
隔离度(25°C) ≥10dB
隔离度(极限温度) ≥9dB

资料下载

SiDCR6/18-11N 半导体封测资源附件
文件名称 大小 操作
SiDCR618 11N 2.22 MB
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