安世中国功率半导体晶圆供应链全面实现国产化
安世中国近期完成晶圆供应的全面国产化，标志着中国功率半导体产业链进一步完善。本土晶圆厂已顺利接棒车规级IGBT与MOSFET的生产任务，国产制造能力持续增强。
安世中国启动晶圆供应链国产化进程
自2026年起，安世中国开始全面采用国产晶圆供应，这一举措被视为功率半导体领域本土化发展的里程碑。
安世半导体最初由荷兰飞利浦于20世纪50年代在奈梅亨设立的半导体业务演变而来。
2006年，该业务独立为恩智浦半导体。
2017年，恩智浦将标准产品业务剥离，成立专注于分立器件、MOSFET与IGBT等功率半导体的安世半导体。
2018至2020年，闻泰科技通过三阶段累计投资338亿元，实现对安世半导体的全资控股，并将东莞工厂扩建为年产能达750亿颗的制造中心。欧洲的研发能力与中国的制造及市场优势在此融合，形成协同发展的格局。
然而，2025年9月荷兰政府发布部长令，冻结资产、限制投票权，并暂停中国籍CEO职务。10月起，东莞工厂的晶圆供应被切断。由于库存仅维持3天，全球供应链的高依赖性在此时暴露无遗，70%的车规级封测产能面临停摆风险。
从2025年10月起，安世中国迅速与鼎泰匠芯、上海积塔、芯联集成等本土晶圆厂对接，启动车规级验证流程。
至2026年1月，IGBT晶圆实现100%国产化供应；2月，全年国产化方案正式落地。
值得注意的是，安世中国在2025年第四季度已实现向欧洲出口超过110亿颗芯片，并获得大众、宝马等国际车企的订单。
如今，全球功率芯片供应链正从“单向依赖”转向“平行体系”。随着国产晶圆通过车规级认证并实现稳定量产，供应链切换成本显著下降，产业谈判格局也随之调整。
功率半导体国产化进程持续推进
目前，安世中国已与鼎泰匠芯、积塔半导体等本土晶圆厂完成12英寸与8英寸产线的配套验证，国内在成熟制程功率器件领域的基础能力显著增强。
近年来，12英寸功率器件产线快速扩展，车规级认证体系日趋完善。至2025年，中国功率半导体自给率已突破42%，相比五年前有显著提升。
国内8英寸晶圆厂在工艺稳定性与良率控制方面已具备规模化供货能力；12英寸IGBT、Trench MOSFET等高端产品正从“可替代”迈向“规模化应用”阶段。
国家集成电路产业基金亦持续在功率器件及材料环节提供多方面支持。
与先进逻辑芯片相比，功率半导体的竞争优势体现在工艺稳定性、可靠性验证与成本控制，而非线宽极限突破。
车规级器件对高温循环、寿命一致性要求极高，认证周期较长，但一旦通过验证，市场黏性显著提升。国产晶圆通过车规级认证后，供应链稳定性将大幅增强。
此次晶圆制造环节的国产化，标志着从材料（硅片）到晶圆制造、封测直至整车厂的产业链闭环逐步形成。
国内8英寸硅片供应能力近年来显著提升，12英寸功率硅片虽仍处于产能爬坡阶段，但已具备商业化供货能力。
相比先进SoC，功率器件不受线宽限制，这也成为其成为国产替代突破口的关键因素之一。