三星电子启动HBM4大规模量产
2月12日，三星电子正式宣布已开始向客户交付最新一代高带宽存储芯片HBM4，标志着该产品进入大规模生产阶段。
据官方介绍，三星在此次HBM4量产中采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c），并结合4纳米逻辑制程，使得产品在量产初期便实现稳定良率和卓越性能，且无需额外进行架构重新设计。
在性能表现方面，HBM4的数据传输速率可达11.7 Gbps，相较于当前行业主流的8 Gbps产品提升约46%，比上一代HBM3E的最高9.6 Gbps也提升了1.22倍。该芯片的最高性能可扩展至13 Gbps，为应对AI模型不断扩展所带来的数据吞吐瓶颈提供了有效支持。此外，HBM4的单堆栈带宽最高可达3.3 TB/s，较HBM3E的性能提升了2.7倍。
三星电子首席技术官宋载赫表示，公司目前正在研发下一代zHBM技术。该技术的核心在于采用3D堆叠结构，将HBM内存堆栈直接置于XPU之上，从而实现数以万计的I/O通道，显著提升整体带宽表现。这一结构优化同时带来延迟的大幅下降，预期仅为传统设计的四分之一。