三星电子启动HBM4大规模量产
2月12日，三星电子正式宣布，已开始向客户出货其最新一代高带宽存储芯片HBM4，并进入大规模量产阶段。
此次HBM4采用三星第六代10纳米级DRAM制程工艺（1c节点），并与4纳米逻辑制程相结合。这一技术组合使得产品从首批量产起即具备稳定良率与卓越性能表现，同时省去了传统意义上的结构重构步骤。
在性能方面，HBM4的稳定传输速率达11.7 Gbps，相较当前行业平均水平8 Gbps提升46%。与上一代HBM3E最高9.6 Gbps的性能相比，提升了约1.22倍。该芯片的最高带宽扩展至13 Gbps，可更有效地支持大规模AI模型的数据处理需求。此外，单堆栈内存带宽可达3.3 TB/s，较HBM3E提升2.7倍。
三星电子首席技术官宋载赫表示，公司正在推进zHBM的研发工作。该技术的核心在于将HBM以三维结构堆叠于XPU之上，从而实现数以万计的I/O连接通道，显著增强整体带宽性能。同时，新的布局设计将信号传输延迟降至原有水平的四分之一。